一、电力电子元件分类：
按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：
1.半控型器件，例如晶闸管；
2.全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；
3.不可控器件，例如电力二极管；
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：
1.电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；
2.电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR；
根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：
1.脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；
2.电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGBT；
按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：
1.双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；
2.单极型器件，例如MOSFET、SIT；
3.复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）和IGBT；
电力二极管：结构和原理简单，工作可靠；
晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高
IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO
GTR：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低；缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题
GTO：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强；缺点：电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低
MOSFET：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题；缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
制约因素：耐压，电流容量，开关的速度。
三、晶闸管工作原理
专门把晶闸管拎出来是因为最近在其他课程提得比较多。
晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管为半控型电力电子器件，它的工作条件如下：
1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。门极只起触发作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。