当前虽然编译成功了，但是对于我们自己的目标板并不太适用。还得做一系列得修改。
一、lds 文件分析
u-boot 中最重要得链接文件即是，u-boot.lds。我们可以查看我们编译出来得 u-boot.lds 文件进行分析，原始文件在 arch/arm/cpu/ 下，编译出来得去掉了不想关得选项。
u-boot.lds脚本文件告诉链接器linker如何布局代码段、数据段、bss段等，已经配置了u-boot自拷贝(从flash到RAM的copy)的内容。另外，还简要的涉及了动态链接技术等。
1 /* 指定输出的可执行文件 elf 格式，32位，小端 */
2 OUTPUT_FORMAT("elf32-littlearm", "elf32-littlearm", "elf32-littlearm")
3 /* 指定输出可执行文件的平台为 arm */
4 OUTPUT_ARCH(arm)
5 /* 指定输出可执行文件的起始代码段为_start */
6 ENTRY(_start)
7 /* 指定可执行文件的全局入口点，通常这个地址都放在ROM(flash)0x0位置。
8 * 必须使编译器知道这个地址 */
9 SECTIONS
10 {
11 /* 从0x0位置开始 */
12 . = 0x00000000;
13 /* 代码以4字节对齐 */
14 . = ALIGN(4);
15 /* 代码段 */
16 .text :
17 {
18 /* u-boot将自己copy到RAM，此为需要copy的程序的start */
19 *(.__image_copy_start)
20 /* ./arch/arm/lib/vectors.S，异常向量表 */
21 *(.vectors)
22 /* ./arch/arm/cpu/arm920t/start.S */
23 arch/arm/cpu/arm920t/start.o (.text*)
24 /* 其他的代码段放在这里，即 start.S/vector.S 之后 */
25 *(.text*)
26 }
27 /* 代码段结束后，有可能4bytes不对齐了，此时做好4bytes对齐，以开始后面的.rodata段 */
28 . = ALIGN(4);
29 /* 在代码段之后，存放read only数据段 */
30 .rodata : { *(SORT_BY_ALIGNMENT(SORT_BY_NAME(.rodata*))) }
31 /* 4bytes对齐，以开始接下来的.data段 */
32 . = ALIGN(4);
33 /* 可读写数据段 */
34 .data : {
35 *(.data*)
36 }
37 /* 4字节对齐 */
38 . = ALIGN(4);
39 /* 当前地址为4字节对齐后的地址 */
40 . = .;
41 /* 4字节对齐 */
42 . = ALIGN(4);
43 /* .data段结束后，紧接着存放u-boot自有的一些function，例如u-boot command等 */
44 .u_boot_list : {
45 KEEP(*(SORT(.u_boot_list*)));
46 }
47 . = ALIGN(4);
48 /* UEFI支持， */
49 .__efi_runtime_start : {
50 *(.__efi_runtime_start)
51 }
52 /* */
53 .efi_runtime : {
54 *(efi_runtime_text)
55 *(efi_runtime_data)
56 }
57 /* */
58 .__efi_runtime_stop : {
59 *(.__efi_runtime_stop)
60 }
61 /* */
62 .efi_runtime_rel_start :
63 {
64 *(.__efi_runtime_rel_start)
65 }
66 /* */
67 .efi_runtime_rel : {
68 *(.relefi_runtime_text)
69 *(.relefi_runtime_data)
70 }
71 /* UEFI结束 */
72 .efi_runtime_rel_stop :
73 {
74 *(.__efi_runtime_rel_stop)
75 }
76 /* 4字节对齐 */
77 . = ALIGN(4);
78 /* 至此，u-boot需要自拷贝的内容结束，总结一下，包括代码段，数据段，以及u_boot_list */
79 .image_copy_end :
80 {
81 *(.__image_copy_end)
82 }
83 /* 在老的uboot中，如果我们想要uboot启动后把自己拷贝到内存中的某个地方，只要把要拷贝的地址写给TEXT_BASE即可，
84 * 然后boot启动后就会把自己拷贝到TEXT_BASE内的地址处运行，在拷贝之前的代码都是相对的，不能出现绝对的跳转，否则会跑飞。
85 * 在新版的uboot里，TEXT_BASE的含义改变了。它表示用户要把这段代码加载到哪里，通常是通过串口等工具。
86 * 然后搬移的时候由uboot自己计算一个地址来进行搬移。新版的uboot采用了动态链接技术，在lds文件中有__rel_dyn_start和__rel_dyn_end，
87 * 这两个符号之间的区域存放着动态链接符号，只要给这里面的符号加上一定的偏移，拷贝到内存中代码的后面相应的位置处，
88 * 就可以在绝对跳转中找到正确的函数。 */
89 .rel_dyn_start :
90 {
91 *(.__rel_dyn_start)
92 }
93 /* 动态链接符存放在的段 */
94 .rel.dyn : {
95 *(.rel*)
96 }
97 /* 动态链接符段结束 */
98 .rel_dyn_end :
99 {
100 *(.__rel_dyn_end)
101 }
102 .end :
103 {
104 *(.__end)
105 }
106 /* bin文件结束 */
107 _image_binary_end = .;
108 . = ALIGN(4096);
109 .mmutable : {
110 *(.mmutable)
111 }
112
113 /* .bss节包含了程序中所有未初始化的全局变量 */
114 .bss_start __rel_dyn_start (OVERLAY) : {
115 KEEP(*(.__bss_start));
116 __bss_base = .;
117 }
118 .bss __bss_base (OVERLAY) : {
119 *(.bss*)
120 . = ALIGN(4);
121 __bss_limit = .;
122 }
123 /* bss段结束 */
124 .bss_end __bss_limit (OVERLAY) : {
125 KEEP(*(.__bss_end));
126 }
127
128 .dynsym _image_binary_end : { *(.dynsym) }
129 .dynbss : { *(.dynbss) }
130 .dynstr : { *(.dynstr*) }
131 .dynamic : { *(.dynamic*) }
132 .plt : { *(.plt*) }
133 .interp : { *(.interp*) }
134 .gnu.hash : { *(.gnu.hash) }
135 .gnu : { *(.gnu*) }
136 .ARM.exidx : { *(.ARM.exidx*) }
137 .gnu.linkonce.armexidx : { *(.gnu.linkonce.armexidx.*) }
138 }
二、norflash 介绍
ARM的启动都是从0地址开始，所不同的是地址的映射不一样。在 arm 上电的时候，要想让 arm 知道以某种方式（地址映射方式）运行，不可能通过你写的某段程序控制，因为这时候你的程序还没启动，这时候arm会通过引脚的电平来判断。
2.1 硬件
2.1.1 存储器地址
s3c2440 的存储器控制器为访问外部存储的需要器提供了存储器控制信号。 存储器控制器的地址空间总共有 8 个 bank，每个bank 为128M，总共为1G。除了 BANK0（16/32 位）之外，其它全部 BANK 都可编程访问位宽（8/16/32 位） 。
- 8 个存储器 Bank
- 6 个存储器 Bank 为 ROM，SRAM 等
- 其余 2 个存储器 Bank 为 ROM，SRAM，SDRAM 等
- 7 个固定的存储器 Bank 起始地址
- 1 个可变的存储器 Bank 起始地址并 Bank 大小可编程
- 所有存储器 Bank 的访问周期可编程
- OM管脚是使能NAND Flash 的管脚，当OM=00时，是表示使用 NAND Flash 为引导 ROM。
- nGCS0 为片选信号控制
- 0x0000_0000 这些为存储器地址。
- BANK 6 和 BANK 7 必须为相同的存储器大小
2.1.2 OM管脚
OM有两个管脚，用来控制存储器。
BANK0（nGCS0）的数据总线应当配置为 16 位或 32 位的宽度。因为 BANK0 是作为引导 ROM 的 bank（映射到 0x0000_0000），应当在第一个 ROM 访问前决定 BANK0 的总线宽度，其依赖于复位时 OM[1:0]的逻辑电平。
2.1.3 存储器概念
- SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)：同步动态随机存取存储器，
- 同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；
- 动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；
- 随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写，简单的说，它就是cpu使用的外部内存，即我们常说的内存条。
- 主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算
- SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，速度比SDRAM快，一般用作高速缓冲存储器（Cache）。
- norflash:非易失闪存,是一种外部存储介质，芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，
- 由于它有地址总线，cpu可以直接从norflash中取指，直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，容量较小（1~4M），NOR的传输效率很高，擦初和写操作效率很低
- nandflash：它也是非易失闪存（掉电不丢失）的一种，但是它虽然有数据总线，但是没有地址总线，所以cpu不能直接从nandflash中取指运行，由于它价格便宜，所以常常用来存储大量数据，和我们常说的硬盘类似。
2.2 norflash 启动
- S3C2440的启动时读取的第一条指令是在0x00上，分别为nand flash和nor flash上启动。
- Nor flash的有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在nor flash上可以直接运行程序，所以nor flash可以直接用来做 boot，采用 nor flash 启动的时候会把地址映射到 0x00 上。
- 任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行
- 擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4MFLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6S
- Nand flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。
- 在u-boot 启动中，需要把 程序拷贝到 SDRAM中去运行，也可以不用拷贝。
- nor 启动的时候，CPU的0地址就指向 norflash
2.2.1 norflash 电路
运行的目标开发板为 JZ2440 开发板。norflash 型号为 MX29LV160DBTI，16M存储空间，
2.2.2 代码修改
原文地址：https://www.cnblogs.com/kele-dad/p/8290310.html
时间： 2024-11-05 09:11:45