Nand Flash 写地址

计算物理地址 K9F2G08U0C是samsun出产的FLASH,容量为256MB 页--Page: (2K + 64)Byte 块--Block: (128K + 4K)Byte 128 / 2 = 64 Page 256M / 128 K  = 2048 Block 现在以第25块的30页中的24byte为例  物理地址 = 块大小×块号 + 页大小×页号 + 页内地址   = 128K x 25 + 2K x 30 + 24B = 3338264(10) = 32F018 (16) 如图

2015.3.27星期五 晴 链接脚本定义代码的排放顺序 硬件系统初始化:一:arm核初始化:(里面有指令)初始化ARM核的时候需要看arm核的手册指令:1.异常向量(最起码有个复位异常,初始化模式-svc) ldr r0, =_start mcr p15, 0, r0, c12, c0, 0 2.处理器模式-SVC3.关闭中断 mrs r0, cpsr bic r0, r0, #0x1f orr r0, r0, #0xd3 @1101 0011 //关闭irq,fiq和设置SVC msr cp

一.NAND FLASH的特点 S3C6410的NAND FLASH控制器有如下特点 1.自导入模式:复位后,引导代码被送入到8KB的STEPPINGSTONE中,引导代码移动完毕,引导代码将在STEPPINGSTONE中执行.导入期间,NAND FLASH控制器不支持ECC矫正. 2.NAND FLSH 控制器I/F:支持512字节和2KB页 3.软件模式:用户可以直接访问nand flash 控制器,该特性可以用于读/檫/编程nand flash 存储器. 1)写命令寄存器=NAND FLA

NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.

From: http://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html 版本:v2.2 Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级功能,然后开始介绍Linux下面和Nand Flash相关的软件架构MTD的相关知识,最后介绍了

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果

一. @*********************************************************************************************************************************************************************************************************************** @ File: head.s @功能:设置SDRAM,将程序

五.nand flash 操作 原文地址:http://blog.csdn.net/woshidahuaidan2011/article/details/51220911 by jaosn Email: [email protected] 于nor flash相比,nand flash的容量要大许多,nand 不同于nor ,其采用i/o接口只能采取顺序访问,s3c2440不仅具有nandflash的接口,而且还可以利用某些机制实现直接从nandflash启动并运行程序.相对于norflash,

U-BOOT 对 Nand Flash 命令的支持 在 U­BOOT 下对 Nand Flash 的支持主要是在命令行下实现对 nand flash 的操作.对 nand flash 实现的命令 为:nand info.nand device.nand read.nand write.nand erease.nand bad. 用到的主要数据结构有:struct nand_flash_dev.struct nand_chip.前者包括主要的芯片型号.存储容量. 设备 ID.I/O 总线宽度等信息