初级模拟电路：目录

好了,前面的就算不懂也没关系,真正的模拟电路从这里开始.要使用二极管做电路设计,第一件事就是掌握二极管的伏安特性曲线. 1.   完整的二极管伏安特性曲线 图 1-3.01 二级管的完整伏安特性如上图所示(为表示方便,图中横坐标和纵坐标在正半轴和负半轴的尺度是不一样的),说明如下: (1) 在正偏时,当VD很小时,电流接几乎为0.当VD增大到一定阈值后(图中为0.7V左右),电流开始极快地以指数级增长(毫安级). (2) 在反偏时,反向饱和电流IS维持一个很小值(微安级),不随反偏电压变化.但是

做嵌入式开发,以我个人的经验,虽然70%以上的时间都会花在软件上面(并且软件的比重将来还可能更多),但剩下那30%,无论如何也是要与硬件打交道的.那模拟电路和数字电路就是绕不过去的坎,总会碰上的. 很多嵌入式工程师比较怕模拟这一块,因为在学校里,虽然很多专业都会开模拟电路的课程,但我相信80%以上的人当年是没学明白的(包括我自己).后来由于工作中要用,不得不再回去啃书,而且买回来一堆古今中外的模电的书(噢,没有古),互相参照着看,才慢慢.慢慢.稍微.有点整明白了. 现在回过头再看当年学校里的模电

1.   掺杂半导体 上面我们分析了本征半导体的导电情况,但由于本征半导体的导电能力很低,没什么太大用处.所以,一般我们会对本征半导体材料进行掺杂,即使只添加了千分之一的杂质,也足以改变半导体材料的导电特性.通过加入不同特性的掺杂的元素,可以做出两种不同性质的半导体材料:n型半导体材料和 p型半导体材料,下面分别予以介绍. (1) n型半导体 n型半导体材料是通过对本征半导体掺入有5个价电子的元素得到的,常见的5价元素有:锑(Sb).砷(As).磷(P),下面以锑作为掺杂元素.硅作为本征基片来举

几乎所有的模电教材,第一章都会写PN结与二极管,但是能写到让人完全读懂的却不多.我当年学模电的时候,曾经卡在这里很长时间,一些概念貌似看明白了,但一深究就会觉得有些地方解释不通,解释不通的地方书本上又语焉不详.直到很多年后才知道,这个其实涉及到蛮复杂的半导体材料学和量子力学机制,如果不是专门做模拟IC设计,一般搞分立元件电路的人其实并不需要搞明白其中的详细原理与机制,只要知道其伏安曲线,再知道一些其他非线性特性,就可以设计电路了.所以,很多教科书都在这里稍微描述一下,也不指望读者去深入理解.我这

回到目录 二极管可以实现简单的数字电路中的 与门(and gate)和 或门(or gate)逻辑.优点是电路简单,成本低:缺点是功耗比较大.事实上,我们一般不会真正用二极管去构造逻辑电路,因为这么简单的一个逻辑门功能,要消耗这么大功耗实在不划算.这里仅仅是作为一种概念电路,用来说明二极管也是可以实现门电路的,还有就是在万不得已情况下偶尔用一下. 1.   或门 根据TTL电平信号规定,对于输出信号,输出电平大于2.4V属于高电平,一般代表逻辑1:输出电平小于0.4V的属于低电平,一般代表逻辑0

回到目录 1.   名称由来 BJT的全称是双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor),国内俗称三极管.其实,在英语中,三极管(triode)特指以前的真空电子管形式的三极管,而不是我们现在普遍使用的半导体三极管.“tri-”的意思是“三”,“ode”的意思是“极”,当年的电子管一般都封装在一个圆柱形的真空玻璃管中,所以中文翻译在后面加了个“管”. 早在二战以前,电子技术和电子元器件的应用就已经很发达了,在1930年代,全球电子管的年产量就已经达到1亿支以上.在那

回到目录 (续上小节) 3. 分压偏置 前面的“改进型固定偏置”电路,虽然情况比原始的固定偏置电路好了一点,但还是不太理想,于是人们又设计出了性能更加稳定的分压偏置(voltage-divider bias configuration)电路,如下图所示: 图3-6.06 分压偏置电路的稳定性非常完美,放大系数β的变化对输出静态工作点IC和VCE几乎没有什么影响,我们在下面的分析中可以验证这一点. 对于分压偏置的输入端分析,有“近似分析”和“精确分析”两种方法,一般在实际工程应用中,“近似分析”法

回到目录 本小节我们以2N4123通用型BJT硅基晶体管为例,来介绍如何阅读BJT的数据规格书,点此链接可以阅读和下载2N4123的数据规格书. 1. 总体性能 打开datasheet后,首先看标题: 图3-8.01 可以看到,这是2N4123.2N4124共用的一个datasheet,而且是通用型NPN硅基三极管.然后在在第一页的右侧,厂家给出了管脚识别方法和管体上的文字标记含义: 图3-8.02 在第一页的主体篇幅,数据规格书列出了这个BJT晶体管的所有极限性能,好让使用者先对这个器件有一个

回到目录 BJT晶体管可以实现逻辑门,事实上,在场效应管被发明用于集成电路以前,各种逻辑门芯片中的电路就是用BJT晶体管来实现的.最早人们使用二极管与BJT组合来实现逻辑门,这个称为二极管-晶体管逻辑(Diode-Transistor Logic),简称DTL:后来改进为全部用BJT晶体管来实现逻辑门,这个称为晶体管-晶体管逻辑(Transistor-Transistor Logic),简称TTL.早期广为人知的TTL电平,就是基于这种用BJT晶体管实现的逻辑门.TTL的优点是响应速度比较快,缺