TMS320F28335为哈佛结构的DSP，在逻辑上有4M×16位的程序空间和4M×16位的数据空间，但在物理上已将程序空间和数据空间统一成一个4M×16位的空间。
TMS320F28335片上有256K×16位的FLASH，34K×16位的SRAM，8K×16位的BOOT ROM，2K×16位的OPT ROM。
1、 TMS320F28335片上SARAM
TMS320F28335片内共有34K×16位单周期单次访问随机存储器的SARAM，分成10个块，他们分别称为M0、M1、L0-L7。
MO和M1块SARAM的大小均为1K×16位，当复位后，堆栈指针指向M1块的起始地址，堆栈指针向上生长。M0和M1段都可以映射到程序区和数据区。
L0-L7块SARAM的大小均为4K×16位，既可映射到程序空间，也可映射到数据空间，其中L0-L3可映射到两块不同的地址空间并且受片上的FLASH中的密码保护，以免存在上面的程序或数据，被他人非法拷贝。
2、 TMS320F28335片上FLASH和OTP
TMS320F28335片上有256K×16位嵌入式FLASH存储器和1K×16位一次可编程EEPROM存储器，他们均受片上FLASH中的密码保护。FLASH存储器由8个32K×16位扇区组成，用户可以对其中任何一个扇区进行擦除、编程和校验，而其他扇区不变。但是，不能在其中一个扇区上执行程序来擦除和编程其他的扇区。(表示质疑，可以使用28335提供的Flash API函数进行在线的编程烧写Flash)
3、 TMS320F28335外部存储器接口
TMS320F28335的外部存储器接口包括：20位地址线，16（最大32）位数据线，3个片选控制线及读写控制线。这3个片选线映射到3个存储区域，Zone0,Zone6和Zone7。这3个存储器可分别设置不同的等待周期。
Zone0 存储区域： 0X004000—0X004FFF, 4K×16位 可编程最少一个等待周期
Zone6 存储区域： 0X100000—0X1FFFFF, 1M×16位 10ns 最少一个等待周期
Zone7 存储区域： 0X200000—0X2FFFFF, 1M×16位 70ns 最少一个等待周期