ldr,str,ldm,stm的命名规律:
这几个指令命名看起来不易记住,现在找找规律。
指令 | 样本 | 效果 | 归纳名称解释 |
ldr Rd,addressing | ldr r1,[r0] | addressing to Rd [mem to reg] | load to register |
str Rd,addressing | str r1,[r0] | Rd ro addressing [reg to mem] | store register |
ldm Rn,reglist | ldmfd sp!,{r0-r7,pc} | *sp to reglist[mem to reg] | load to reglist |
stm Rn,reglist | stmfd sp!,{r0-r7,lr} | reglist to *sp[reg to mem] | store reglist |
因此ldr,str,ldm,stm的命名均是以reg寄存器为主体,ld表示load装载寄存器,st表示store保存寄存器。 装载的源头、保存的去处就是内存了。 |
ldr同时还是伪指令,这时必然形为: ldr reg, =expr 。expr可以是一个32位立即数,也可以是一个标号。
ldr意为大范围地址读取指令,并且读的是基于pc的相对偏移的地址值。
adr为小范围地址读取伪指令,将基于PC相对偏移的地址值读取到寄存器中。adr register,exper
可用于进行程序跳转,也可用于在数据池中查找数据。
adr r0,DispTab ;加载转换表地址到r0。 ; DispTab编译后是一个固定的地址,这个地址后的空间存放了N个单位的数据。程序运行起来后的地址和编译地址或有不同。这个指令加载的是运行时的地址。 ldrb r1,[r0,r2] ;以r2的值为偏移量,读取转化表中的数据到r1中。 .... DispTab DCB 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0
adlr为中范围地址读取伪指令,比adr可读取的地址范围更大。
;================= ; Memory control ;================= BWSCON EQU 0x48000000 ;Bus width & wait status BANKCON0 EQU 0x48000004 ;Boot ROM control BANKCON1 EQU 0x48000008 ;BANK1 control BANKCON2 EQU 0x4800000c ;BANK2 control BANKCON3 EQU 0x48000010 ;BANK3 control BANKCON4 EQU 0x48000014 ;BANK4 control BANKCON5 EQU 0x48000018 ;BANK5 control BANKCON6 EQU 0x4800001c ;BANK6 control BANKCON7 EQU 0x48000020 ;BANK7 control REFRESH EQU 0x48000024 ;DRAM/SDRAM refresh BANKSIZE EQU 0x48000028 ;Flexible Bank Size MRSRB6 EQU 0x4800002c ;Mode register set for SDRAM Bank6 MRSRB7 EQU 0x48000030 ;Mode register set for SDRAM Bank7;要设置的mem控制寄存器,共13个。 ;*******************************************; ;in init.s .
. .SetMemController
adrl r0, SMRDATA ldr r1,=BWSCON ;BWSCON Address add r2, r0, #52 ;End address of SMRDATA 0 ldr r3, [r0], #4 ;unsigned int *pValue = (unsigned int*)SMRDATA ; r3 = pValue[0] , pValue+=1; str r3, [r1], #4 ;unsigned int *reg_addr = (unsigned int*)BWSCON ; *reg_addr = r3 ; reg_addr+=1; cmp r2, r0 ;if(pValue != SMRDATA+52) {loop }; bne %B0;end of SetMemController
.
. . LTORG SMRDATA DATA ; Memory configuration should be optimized for best performance ; The following parameter is not optimized. ; Memory access cycle parameter strategy ; 1) The memory settings is safe parameters even at HCLK=75Mhz. ; 2) SDRAM refresh period is for HCLK<=75Mhz. DCD (0+(B1_BWSCON<<4)+(B2_BWSCON<<8)+(B3_BWSCON<<12)+(B4_BWSCON<<16)+(B5_BWSCON<<20)+(B6_BWSCON<<24)+(B7_BWSCON<<28)) DCD ((B0_Tacs<<13)+(B0_Tcos<<11)+(B0_Tacc<<8)+(B0_Tcoh<<6)+(B0_Tah<<4)+(B0_Tacp<<2)+(B0_PMC)) ;GCS0 DCD ((B1_Tacs<<13)+(B1_Tcos<<11)+(B1_Tacc<<8)+(B1_Tcoh<<6)+(B1_Tah<<4)+(B1_Tacp<<2)+(B1_PMC)) ;GCS1 DCD ((B2_Tacs<<13)+(B2_Tcos<<11)+(B2_Tacc<<8)+(B2_Tcoh<<6)+(B2_Tah<<4)+(B2_Tacp<<2)+(B2_PMC)) ;GCS2 DCD ((B3_Tacs<<13)+(B3_Tcos<<11)+(B3_Tacc<<8)+(B3_Tcoh<<6)+(B3_Tah<<4)+(B3_Tacp<<2)+(B3_PMC)) ;GCS3 DCD ((B4_Tacs<<13)+(B4_Tcos<<11)+(B4_Tacc<<8)+(B4_Tcoh<<6)+(B4_Tah<<4)+(B4_Tacp<<2)+(B4_PMC)) ;GCS4 DCD ((B5_Tacs<<13)+(B5_Tcos<<11)+(B5_Tacc<<8)+(B5_Tcoh<<6)+(B5_Tah<<4)+(B5_Tacp<<2)+(B5_PMC)) ;GCS5 DCD ((B6_MT<<15)+(B6_Trcd<<2)+(B6_SCAN)) ;GCS6 DCD ((B7_MT<<15)+(B7_Trcd<<2)+(B7_SCAN)) ;GCS7 DCD ((REFEN<<23)+(TREFMD<<22)+(Trp<<20)+(Tsrc<<18)+(Tchr<<16)+REFCNT) DCD 0x32 ;SCLK power saving mode, BANKSIZE 128M/128M DCD 0x20 ;MRSR6 CL=2clk DCD 0x20 ;MRSR7 CL=2clk
;mem设置参数值的数据池。共13*4bytes。;********************************************************* . . .
时间: 2024-10-11 01:23:17