基于晶体管电路设计（上）铃木雅臣著
晶体管放大电路可以分为三类，共发射基，共基极，共集电极，三种电路用在几种不同的情况下，并由于应用情景的不同，做出了改进，出现基于这三种不同电路的变形电路，但是根本就在于这三种电路，
共基极电路用在高频情况下的电压放大。共集电极用在电压跟随，目的是减小输出阻抗，提高输出电流。而共发射极是最常用的放大电路，对电压电流都有放大。
在三种电路的基础上发展出了提高交流放大倍数的电路，即通过与re并联一个电阻电容得到，由于基本的共集电极电路输出交流能力有限（不能高于静态工作点电流）发展出了推挽电路，但是因为温度影响空载电流，又发展出了改进型的推挽电路，在大功率下需要更大的电流放大，就发展出了达林顿结构，由于共基极输出阻抗较大，为了减小阻抗发展出了共基极+射极跟随的结构。还有更多，但是基础就是这三种电路。
第一种：共发射极电路。
设计这个电路的步骤为：确定电源电压，选择晶体管，确定静态电流，确定re，确定rc，确定流过偏置电阻的电流，确定基极偏置电压，确定基极偏执电阻，确定输入输出和电源部分的电容，我认为其中最主要的就是确定静态电流，静态电流确定了基本就都确定了，这里边有个经验值就是ve一般是2v左右。还有就是流过偏置电阻的电流远远大于基极电流（10倍以上就可以）。
关于这个电路的一些重要的结论有：输入阻抗是两个偏置电阻的并联值，输出阻抗是rc，电压放大倍数Av=rc/re，在不改变静态偏置电路的同时想提高电压放大倍数的话，可以在re旁边并联电阻电容。
第二种：射极跟随电路
射极跟随电路输出的电压总是与输入电压幅度相同，但是电流会放大，由于静态工作电流ie是一个定值，当输入交流电流等于ie后不能再增加，导致输出电压有限，最大只能是ie*rl//re的值，这样会出现电压失真的现象，于是出现了推挽电路。注：此电路的输出阻抗是0；
这个推挽电路是在简单推挽电路上逐步发展起来的，tr1是为了防止热击穿的，并且tr1的集电极和发射极之间总是提供2*be的压差，这样的波形不会有错位。后边的R是调节空载电流的。
将一般放大电路与射极跟随器结合做的一个电路如下
第三种：共基极电路
共基极电路主要应用于高频电压放大，基极交流接地，静态工作点计算方法与共发射极类似，电压放大倍数依然是rc/re，高频性能好的原因如下。
未完，待补充。。。