输入阻抗
输入阻抗包括感抗、容抗、电阻
输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样，它反映了对电流阻碍作用的大小。
对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动；（电阻越大，电阻两端分得的电压也就越大）
而对于电流驱动型的电路，输入阻抗越小，则对电流源的负载就越轻。（电阻越小，电流就接近电源电流）
因此，我们可以这样认为：如果是用电压源来驱动的，则输入阻抗越大越好；如果是用电流源来驱动的，则阻抗越小越好（注：只适合于低频电路，在高频电路中，还要考虑阻抗匹配问题。另外如果要获取最大输出功率时，也要考虑阻抗匹配问题。）
输出阻抗
阻抗是电路或设备对交流电流的阻力，输出阻抗是在出口处测得的阻抗。阻抗越小，驱动更大负载的能力就越高。
场效应管通俗易懂的使用方法
会用为先，再来理解，一举拿下，两全其美。
场效应管和三极管一样，也是三个引脚，里面也有PN结区域，P表示空穴（正电子），N表示负电子。
N沟道结型场效应管：栅极G电流向内流
P沟道结型场效应管：栅极G电流向外流
N沟道结型场效应管内部原理图
增强型：EMOS
耗尽型：DMOS
N沟道：NMOS
P沟道：PMOS
N沟道EMOS模型
N沟道EMOS管外部工作应满足的条件：
1.VDS > 0（漏极和源极之间的电压必须大于0，保证漏衬PN结反偏）
2.U接电路最低电位或S极（保证源衬PN结反偏）
3.VGS > 0（形成导电沟道）
总结：对于N沟道EMOS管常规操作方法：S极接电源的负极是D极的公共端，所以可以在D极上串联一个负载，负载的另一端接电源+，而G极高电平接通SD端，而低电平断开SD端。P沟道EMOS管与N沟道EMOS管逻辑相反，不同之处在于G极是低电平导通SD端，高电平断开。
全部用法：https://wenku.baidu.com/view/91fd27116f1aff00bfd51ebc.html
举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。
N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）
原文地址：https://www.cnblogs.com/iBoundary/p/11722636.html