华为P10的内存门和闪存门的检测方法

用android的终端模拟器,进入以后进入界面,输入命令ls /proc/fs/*,可以查看是否ufs还是emmc硬盘;
用devcheck可以查看到手机的内存是否是DDR3还是DDR4;
用androbench可以检测手机的硬盘4K随机写的速度是多少。

如果说emmc4.5是5400转机械硬盘,emmc5.0是7200转机械硬盘,那ufs2.0就是ssd

于是在华为论坛上,大家通过安卓平台的开发工具,证实华为 P10 的存储芯片有 eMMC5.1、UFS 2.0 和 UFS 2.1三种版本,甚至内存都还有 LPDDR 3 的情况,当然彼此的速度也有天大的差异。

所以用户就开始质疑了,华为 P10 为什么发布时宣称支持 UFS 2.1 ,但实际发售中却存在 eMMC 5.1的版本?是为了控制功耗还是降低成本?目前华为针对这一事件并没有做出任何回应。

首先我们解释下,eMMC 和 UFS 一样,都是针对存储器所订的一种标准,而这个标准就来自于彼此的速度差异,例如 eMMC 5.1 的读取速度为 600MB / s,但 UFS 2.1 的读写速度理论上可以达到1400MB / s,不仅比eMMC有更巨大的优势,甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌。所以目前我们主流的千元机大多用的都是 eMMC 5.0 / 5.1 的存储规格,而旗舰机型现在大多都会优先考虑UFS 2.0 或 2.1 标准。

此外还有爆料,部分机子采用的是LDDR3而不是LDDR4,我们也给大家做一个简单比较:LPDDR4可提供32Gbps的带宽,为DDR3 RAM的2倍。更快速的RAM意味着应用的启动速度更快,这对于在执行多任务时启动重量级应用至关重要。由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps,是通常使用的DDR3 DRAM的两倍,新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。

与LPDDR3内存芯片相比,LPDDR4的运行电压降为1.1伏,堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的最低功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例,比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装,基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升,最大可节省40%的耗电量。同时,新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic),不仅进一步降低了LPDDR4芯片的耗电量,并使芯片能在低电压下进行高频率运转,实现了电源使用效率的最优化。

由此可见LPDDR4比LPDDR3更省电些,速度也更快一些。

总结:

本次内存门包括:

(1)闪存缩水:采用了慢速的eMMC器件冒充UFS 2.1,致使访问速度大大低于宣传速度。

(2)内存缩水:有些机子采用了 LPDDR 3 而不是 LPDDR 4。(未经证实)

购买时如何检测:

对于这款售价不菲的旗舰手机,普通用户该如何检测华为P10使用的是哪种规格的存储,网友@魔法师蛋小丁提供了一种使用软件检测的方法。

具体来说,通过安装终端模拟器(Terminal Emulator),输入命令:ls /proc/fs/*

输出的信息中如果/proc/fs/f2fs下面是sd开头,就是UFS,

如果/proc/fs/f2fs下面是mmcblk开头,就是eMMC。

方法一: 使用adb shell,查看手机的/proc/ddr_rod  。这个方法适合安卓开发人员,因为这些人电脑上都会有adb,如下图

方法二:使用终端模拟器,在华为市场下载一个终端模拟器,在模拟器里输入命令 cat /proc/ddr_rod  ,如下图

时间: 2024-10-05 20:23:45

华为P10的内存门和闪存门的检测方法的相关文章

iphone6闪存检测

iPhone6自从发布以后一直又不少的诟病和非议,比如一机难求,容易掰弯,程序崩溃等, 甚至传出了苹果将要召回这些问题设备,最近有人终于查出了iPhone6安装大量程序后崩溃的原因,原因就是大容量的iPhone6尤其是128GB和部 分64GB版本采用了廉价的TLC闪存.那么怎么检测自己的手机是否采用了TLC闪存呢? 检测之前需要将自己的手机进行越狱,同时安装Cydia,电脑端下载iFunbox工具即可,具体方法如下: 1.在已越狱的iPhone 6/6 Plus上,进入Cydia搜索安装Ope

嵌入式闪存您了解多少?

随着移动互联的高速发展.智能设备的海量出现,我们熟知的IoT领域.智能制造领域.车联网领域.手机设备等等都有一个共同标志--以数据为驱动的应用或服务,而这背后的基础就是嵌入式闪存技术.那么嵌入式闪存到底为业内带来哪些变化?嵌入式闪存的发展现状如何?其技术有哪些特点?未来的发展是一个什么状况? ZD至顶网邀请了西部数据集团旗下品牌闪迪亚太区市场渠道管理高级经理张丹女士与计世资讯副总经理曹宇杰,分别从厂商和分析师的角度来看看嵌入式闪存的市场和技术趋势. Q:嵌入式存储目前的主流技术有哪些?相互之间的

NVDIMM在闪存存储中的应用探讨

SSD作为新型存储介质对外暴露成一种通用块设备,传统应用似乎无需任何改变就可以在SSD上运行.在实际应用过程中,传统业务的确可以在SSD上直接运行,但问题是SSD并没有被充分利用,优势没有被充分发挥:更糟糕的是业务的IO特性会导致SSD出现新的问题.例如,在有些应用现场,用户发现SSD的使用寿命被很快耗尽,写放大系统变得很大,使用寿命与预期不同.厂商的写放大系统是在特定的IO Pattern下测算出来的,实际应用由于存在大量的512字节小写问题,数据分布不够"完美",从而导致SSD内部

Memblaze明年进军全闪存阵列市场

大数据在线报道:近日,在国内一场闪存应用小型沙龙活动中,Memblaze联合创始人.总经理殷雪冰透露公司将于明年年底正式推出其全闪存阵列产品,此举意味着Memblaze即将涉足竞争激烈的全闪存阵列市场.Memblaze为国内一家专注在PCI-E闪存卡的初创企业,近年来已经获得多轮投资,在今年八月完成的最新一轮融资中,贝塔斯曼亚洲投资基金.中兴合创.鼎兴基金.英菲尼迪等投资机构共投资2000万美元,其PCI-E闪存产品已经获得了包括百度.阿里.腾讯等大型互联网公司的青睐与使用. 根据殷雪冰透露,M

中国闪存论坛有感

今天有幸参加了存储届的又一行业盛典中国闪存论坛.学术界.工业界的很多人给出了自己使用闪存.采用闪存优化应用.闪存产品.闪存技术的独特见解.我也有幸通过分论坛给出了自己对闪存技术的一些理解和想法,特别是全闪存阵列的技术发展和挑战.今天也听了很多的技术报告,其中,最吸引我的还是华中科技大学给出的<新型非易失存储器件研究与应用趋势分析>报告.在此和大家简单分享一下. 毫无疑问,半导体存储是下一代的主流存储介质,替代传统存储只是时间上的问题.目前,半导体存储使用最广.最红的就是NAND Flash闪存

NANDflash和NORflash的区别(设计师在使用闪存时需要慎重选择)

NANDflash和NORflash的区别(设计师在使用闪存时需要慎重选择) NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相"flash存储器"经常可以与相&qu

软件定义闪存系统是什么?

在软件定义一切的时代,存在非常多的概念,很容易混淆.在市场上客户会经常听到"软件定义存储"."软件定义闪存"等概念,那么本文中所提到的软件定义闪存系统和上面这些概念之间存在什么差别呢?特别是"软件定义闪存系统"和"软件定义闪存"之间有何差别呢?在此我试图通过技术的角度和大家一起分享一下"软件定义闪存系统"的精华所在. 在今年5月份召开的中国云计算大会上,我做了一个主题为"软件定义闪存系统关键技术&

全闪存阵列为大数据优化

为了更好地支持大数据应用,富士通推出了针对大数据进行优化的全闪存阵列和大数据一体机,在保证整个系统高性能和高可靠的前提下,进一步提升了数据处理和分析的效率. 大数据是继云计算之后又一项将改变传统商业模式和IT应用方式的重要变革.从存储的角度看,富士通正逐渐将产品的重点向大数据倾斜,近日推出了最新的全闪存阵列ETERNUS DX200F和面向大数据的一体机MHA. 全闪存阵列ETERNUS DX200F是一款面向中小企业用户的入门级存储产品.虽然是一款入门级的产品,但是ETERNUS DX200F

Fusion-IO:应用应为闪存优化

以前,人们只知道用闪存替代硬盘,闪存要为应用而优化.但是随着闪存应用的深入,现在要反过来了,应用要为闪存而优化.Fusion-io正致力于推动这一改变. 虽然存储厂商纷纷推出各种各样的闪存产品或系统,但大多数存储厂商仅仅把闪存作为硬盘的替代者,比如用固态硬盘(SSD)来替换磁盘阵列中的硬盘,而不能真正做到为闪存而优化.Fusion-io高级营销副总裁Gary Orenstein表示,闪存不仅仅是硬盘的替代或补充,而是真正能在互联网.大数据.云计算.数据库等应用中承担起加速的重任. 为应用加速 回