1.1 U-BOOT 对从 Nand Flash 启动的支持
1.1.1 从 Nand Flash 启动 U-BOOT 的基本原理
1. 前 4K 的问题
如果 S3C2410 被配置成从 Nand Flash 启动(配置由硬件工程师在电路板设置), S3C2410 的 Nand Flash 控制器 有一个特殊的功能, 在 S3C2410 上电后, Nand Flash 控制器会自动的把 Nand Flash 上的前 4K 数据搬移到 4K 内部 RAM 中, 并把 0x00000000 设置内部 RAM 的起始地址, CPU 从内部 RAM 的 0x00000000 位置开始启动。这个过 程不需要程序干涉。
程序员需要完成的工作，是把最核心的启动程序放在 Nand Flash 的前 4K 中。
2. 启动程序的安排
由于 Nand Flash 控制器从 Nand Flash 中搬移到内部 RAM 的代码是有限的,所以, 在启动代码的前 4K 里,我 们必须完成 S3C2410 的核心配置以及把启动代码(UBOOT)剩余部分搬到 RAM 中运行。以 UBOOT 为例, 前 4K 完成的主要工作, 见第四部分的 2.2 节。
1.1.2 支持 Nand Flash 启动代码说明
首先在 include/configs/crane2410.h 中加入 CONFIG_S3C2410_NAND_BOOT, 如下：
#define CONFIG_S3C2410_NAND_BOOT 1
支持从 Nand Flash 中启动.
- 执行 Nand Flash 初始化 下面代码在 cpu/arm920t/start.S 中
#ifdef CONFIG_S3C2410_NAND_BOOT
copy_myself:
mov r10, lr
ldr sp, DW_STACK_START @安装栈的起始地址 mov fp, #0 @初始化帧指针寄存器
bl nand_reset @跳到复位 C 函数去执行
...
DW_STACK_START:
.word STACK_BASE+STACK_SIZE4
- nand_reset C 代码 下面代码被加在/board/crane2410/crane2410.c 中 void nand_reset(void)
{
int i;
/* 设置 Nand Flash 控制器 */ rNFCONF=(1<<15)|(1<<14)|(1<<13)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);
/* 给 Nand Flash 芯片发送复位命令 */ NF_nFCE_L();
NF_CMD(0xFF);
for(i=0; i<10; i++); NF_WAITRB();
NF_nFCE_H();
}
- 从 Nand Flash 中把
UBOOT 拷贝到 RAM
@read UBOOT from
Nand Flash to RAM
ldr r0, =UBOOT_RAM_BASE @ 设置第 1 个参数: UBOOT 在 RAM 中的起始地址 mov r1, #0x0 @
设置第 2 个参数:Nand Flash 的起始地址
mov r2, #0x20000 @ 设置第 3 个参数: UBOOT 的长度(128KB)
bl nand_read_whole @ 调用 nand_read_whole(), 该函数在 board/crane2410/crane2410.c 中 tst r0, #0x0 @
如果函数的返回值为 0,表示执行成功.
beq ok_nand_read @ 执行内存比较
- 从
Nand Flash 中把数据读入到 RAM 中
int
nand_read_whole(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)
{
int i, j;
/* 如果起始地址和长度不是 512 字节(1 页)的倍数, 则返回错误代码 */
if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size &
NAND_BLOCK_MASK)) { return 1;
}
/* 激活 Nand Flash */ NF_nFCE_L();
for(i=0;
i<10; i++);
i = start_addr;
while(i <
start_addr + size) {
/* 读 A 区 */ rNFCMD = 0;
/* 写入读取地址 */ rNFADDR = i & 0xff;
rNFADDR = (i >> 9) & 0xff; rNFADDR = (i >> 17) & 0xff;
rNFADDR = (i >> 25) & 0xff;
NF_WAITRB();
/* 读出一页(512 字节) */
for(j=0; j <
NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {
*buf = (rNFDATA & 0xff); buf++;
}
}
/* 停止驱动 Nand Flash */ NF_nFCE_H();
return 0;
}
5. 校查搬移后的数据
把 RAM 中的前 4K 与内部中前 4K 进行比较, 如果完全相同, 则表示搬移成功. ok_nand_read:
mov r0, #0x00000000 @内部 RAM 的起始地址
ldr r1, =UBOOT_RAM_BASE @UBOOT 在 RAM 中的起始地址
mov r2, #0x400 @比较 1024 次, 每次 4 字节, 4 bytes
* 1024 = 4Kbytes go_next: @ 比较 1024 次, 每次 4 个字节
ldr
r3, [r0], #4
ldr r4, [r1], #4 teq r3, r4
bne notmatch subs r2, r2, #4
beq done_nand_read bne
go_next
notmatch:
1:b 1b
done_nand_read:
mov pc, r10
原文地址：https://www.cnblogs.com/fanweisheng/p/11106189.html