模电补考计划

补考科目:模拟电子技术基础

补考通过时间:大三上学期开学时补考通过

补考计划:模电作为一门专业基础课,是一门必修课,拿到学分是必须的,学会这门基础课也是必要的,所以掌握好这门课,通过补考应该作为我的一个重点。为了顺利通过补考,我首先要夯实基础,对模电课本上的知识点概念有一个整体的把握,本来考试之前对模电复习的很透,但是由于平时没学好,所以复习时掌握好了知识点,但是对于解题应用什么的完全生涩,所以补考准备是应注重做题,要把课本上的例题课后题做一遍,对于那些不会做的题要请教老师,请教学霸,把它弄懂,好多时候自己捣鼓半天弄不出来的题请教别人能让你茅塞顿开并且更好的把握,因此,请教同学会是我补考计划的关键,最后要针对考题总结一套做题方案,归纳出考的题型,以及该种题型的解题思路。

时间: 2024-10-10 06:23:12

模电补考计划的相关文章

模电电路分析

1.怎么分辨三极管组成的放大电路是电压放大还是电流放大?三极管放大器有三种形式,共发射极.共基极.共集电极,前两种是电压放大用途,后面的是电流放大用途. 一般都是先电压放大,在电流放大. 总的来说是第一级电压放大+第二级电流放大构成一个功放电路. 10k 200k和第一个三极管通过设置一个合适的静态工作电压,使第一级在导通时处在工作状态. 100n用来隔离直流: 右侧的npn和pnp构成一个组合电流放大电路,通过10k,47k,和1k来设置静态工作点. 模电电路分析,布布扣,bubuko.com

<模电学习1>Multisim 12.0 搭建并仿真51单片机最小系统

环境: 系统环境: win7 64位 软件平台:Multisim 12.0 目的: 刚毕业,但是模电知识也忘得差不多了,加之自己想搞搞硬件设计,如果只是看模电书,不实践,还是终觉浅.当做兴趣一样学学模电,仿真仿真.Multisim的MCU少,就拿51来练练手,搭建51单片机仿真系统,配合着记录一下书本的知识. 概述: 最后使用Multisim 12.0搭建出来的最小系统为图1-1所示,通过编写程序可以使LED1循环闪烁. 图1-1 正常来说,51单片机最小系统一般包括单片机.晶振电路.复位电路,

复旦微电子牛人学习模电经历

复旦微电子牛人学习模电经历 2011-03-09 18:41:40 分类: IT职场 注:文章内容来自网络,网址不详 复旦攻读微电子专业模拟芯片设计方向研究生开始到现在五年工作经验,已经整整八年了,其间聆听过很多国内外专家的指点.最近,应朋友之邀,写一点心得体会和大家共享. 我记得本科刚毕业时,由于本人打算研究传感器的,后来阴差阳错进了复旦逸夫楼专用集成电路与系统国家重点实验室做研究生.现在想来这个实验室名字大有深意,只是当时惘然.电路和系统,看上去是两个概念,两个层次. 我同学有读电子学与信息

电子技术经典资料汇总:模电篇800M

电子技术经典资料汇总:模电篇800M,不仅有模电篇,还有其他的电子技术的资料汇总,基础资料1.6G,嵌入式开发12.9G,PCB设计篇等等都做了汇总的资料,在闯客网技术论坛上有电子工程师应有尽有的资料下载,还有电子技术的大牛在这里交流:787059199,不时会有大神分享经验 模电篇:https://bbs.usoftchina.com/thread-211363-1-1.html 资料目录:电子技术经典资料汇总:模电篇├── ADI技术指南合集/│? ?├── ADI技术指南合集_模数转换器_

模电&数电知识整理(不定期更新)

模电总复习之爱课堂题目概念整理 Chapter 1 1) 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是基本不发生变化. 2) 二极管发生击穿后,在击穿区的曲线很陡,反向电流变化很大,但两端的电压降却几乎不变. 3) 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类. 4) 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V. 5) 二极管电击穿是可逆的,热击穿不可逆. 6) 在P型半导体中,多子是空穴,少子是自由电子. 7) 在P型半导体中:在室温下,当温度升高时,空穴的

模电基础

本片半导体 共价键 空穴——自由电子 复合:自由电子进入空穴 一定温度下自由电子和空穴和浓度是一样的,温度增高浓度增大 载流子:运载电荷的粒子 P型半导体最多可产生4个空穴,即使加入高价杂质,比如5价杂质,因此在没有空穴的情况下,还会多出一个电子,因而自由电子为多数载流子 N型多数载流子为空穴 当温度变化时,少数载流子对导电性的影响更为显著,因为温度变化自由电子与空穴是成对增加或者减少的,因而载流子的比例就会显著变化. N型半导体多数载流子是自由电子,P型半导体(多为硼等3价杂质)多数载流子为空

模电 预习笔记()常驻

1.取正弦量的振幅或有效值作为复数的模,正弦量的初始相位作为复数的相角,则可得到振幅相量和有效值相量 2.P正N负,P硼N磷,前者表示P型半导体多子为空穴且常接电源正极   后者表示掺杂半导体的掺杂方式 3.势垒电容反冲正放,扩散电容正冲反放.嗨呀势垒电容里面的是少子,然而得不到的永远在骚动--势垒电容内电场总是想变小的, 齐纳击穿:本身掺杂度高 导通能力强,电流骤然增多,稳压效果好 雪崩击穿:势垒电容 在彼此渗透时一个带动一群,产生内能(外接导线就会多子移动一致击穿 4.经过HK讲,发现二极管

重读模电教材二_常用半导体器件

本振半导体:纯净具有晶体结构 中性 晶格:晶体中排列整齐的点阵. 共用电子 共价键 常用半导体:SI Ge 四价元素 导电性介于半导体和绝缘体之间. 在晶体结构的半导体中人为加入特定的杂质元素,导电性具有可控,在阳光和辐射条件下,其导电性还能发生变化,可以制作成各种电子器件. 自由电子:价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键束缚,成为自由电子 空穴:自由电子挣脱后,在共价键中留有一个空位置,称为空穴. 运载电荷的粒子称为载流子. 导体中只有一种载流子,即自由电子导电. 而本振半导体有两种载流

上课总结-模电

重点多多啊.老师挺强的,感觉学了不少欸 class 1 半导体器件 一.杂质半导体(N型半导体/P型半导体) N型 p型 特点 N型 将少量5价元素参入四价元素中==> 电子多 ==>电子为多子 p型 将少量3价元素参入四价元素中==> 空穴多==> 空穴为多子 *******             杂质半导体多子浓度决定于杂质浓度******* *******   少子浓度决定于温度          ******* ==============================