NAND FLASH控制器

一、nand flash访问原理

　　地址空间概念

　　nand的编址

　　nand命令　　　　　　　　命令，地址，数据

　　使用S3C2440的nand flash控制器访问nand flash

前几个编译出来的文件都小于4k，读出来放到SDRAM中去

SDRAM、dm9000地址-->2440地址

nand 没有地址总线

片内内存；SDRAM；网卡；寄存器都是CPU统一编址

写地址，读数据连续读一页只进行了读操作，擦除，oob访问都没有

二、源码分析

时间： 2024-10-24 23:32:59

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第8章 NAND FLASH控制器

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Nand Flash 控制器工作原理

对 Nand Flash 存储芯片进行操作, 必须通过 Nand Flash 控制器的专用寄存器才能完成.所以,不能对 Nand Flash 进行总线操作.而 Nand Flash 的写操作也必须块方式进行.对 Nand Flash 的读操作可以按字节读取. Nand Flash 控制器特性 1. 支持对 Nand Flash 芯片的读.检验.编程控制 2. 如果支持从 Nand Flash 启动, 在每次重启后自动将前 Nand Flash 的前 4KB 数据搬运到 ARM 的内部 RAM

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ECC 产生方法 ECC 是用于对存储器之间传送数据正确进行校验的一种算法,分硬件 ECC 和软件 ECC 算法两种,在 S3C2410 的 Nand Flash 控制器中实现了由硬件电路(ECC 生成器)实现的硬件 ECC. ECC 生成器工作过程当写入数据到 Nand flash 存储空间时, ECC 生成器会在写入数据完毕后自动生成 ECC 码,将其放入到 ECC0-ECC2.当读出数据时 Nand Flash 同样会在读数据完毕后,自动生成 ECC 码将其放到 ECC0-ECC2 当

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NAND Flash操作技术详解

NAND Flash是构成固态存储的基本存储单元其采用IO的接口方式与控制器相连.控制器对NAND Flash进行操作时需要通过命令交互的方式对NAND Flash进行操作.下面对NAND Flash的操作进行解析可以发现在研发FTL的时候可以充分发掘NAND Flash提供的操作命令来优化读写性能.分析介绍的NAND Flash以Micron提供的MT29F16G08AA为蓝本.该芯片能够提供16Gb 的存储容量具体性能指标如下所示 Organization – Page size:

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怎么看时序图--nand flash的读操作详解（转载）

出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28852942-id-3992727.html这篇文章不是介绍 nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的.你需要至少了解你手上的 nand flash的物理结构和一些诸如读写命令操作的大概印象,你至少也需要看过 s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明. 由于本人也没有专门学过这方面的知识,下面的介绍也是经验之谈. 这里我用的 K9F2G08-SCB0 这款nand flas