1、主存储器组织与设计(非常重要!)
1)半导体存储器逻辑设计
2)动态存储器的刷新
(1)定义:定期向电容补充电荷
(2)原因:动态存储器依靠电容电荷存储信息。平时无电源 供电,时间一长电容电荷会泄放,需定期向电容 补充电荷,以保持信息不变。
(3)注意刷新与重写的区别:
- 刷新:非破坏性读出的动态M,需补充电荷以保持原来的信息。
- 破坏性读出后重写,以恢复原来的信息。
(4)最大刷新间隔:2ms。在此期间,必须对所有动态单元刷新一遍。
(5)刷新方法:
- 按行读。
- 刷新一行所用的时间——刷新周期(存取周期)
- 刷新一块芯片所需的刷新周期数由芯片矩阵的行数决定。
- 对主存的访问
- CPU访存:由CPU提供行、列地址,随机访问。
- 动态芯片刷新:由刷新地址计数器提供行地址,定时刷新。
(6)刷新周期的安排方式:
- 集中刷新:2ms内集中安排所有刷新周期。
- 分散刷新:各刷新周期分散安排在存取周期中。
- 异步刷新:各刷新周期分散安排在2ms内。每隔一段时间刷新一行。
原文地址:https://www.cnblogs.com/ggotransfromation/p/11804418.html
时间: 2024-11-08 14:05:35