单片机低功耗设计小结

引言 本设计以AT89S52单片机为控制核心,时钟芯片DS1302提供时钟源,配合LCD1602液晶显示模块,组成基本硬件系统,同时利用HC-05嵌入式蓝牙串口通讯模块,可在手机端进行日期.时间的校准.具有走时精确,功耗低,显示直观,调整简单方便等优点. 功能描述 基本显示: 第一行为日期,依次为:年-月-日-星期 第二行为时间,依次为:时:分:秒 说明: 每月的天数,闰年的天数可自动调整 蓝牙校准日期: 命令d+年月日星期+#,如设置2016年12月8日星期四,手机发送命令:d16120804

51单片机课程设计:基于DS18B20的温度报警器 本程序用于读取DS18B20温度,同时具备报警功能,工程分为3个文件,main.c.temp.c.temp.h,经本人修改部分代码,适用于吉林农业大学51开发板,其他朋友亦可移植到其他型号开发板.工程文件在文章最下方. 1.main.c文件 /*********************************说明****************************************** 本程序用于读取温度检测模块DS18B20数值,并

51单片机课程设计:基于MQ-3的酒精浓度报警器 本程序用于将MQ-3上读取到的模拟信号转换为对应的数字信号,经51单片机处理后,在数码管显示,同时具有报警功能,当检测值高于预警值,蜂鸣器报警.除了可以检测MQ-3酒精浓度模块的AD值,也适用于MQ系列的其他模块,原理基本都相同,都是将读取到的AD值转换为数字信号,程序修改后,如果接线方法正确,可以在吉林农业大学51开发板上完美运行,相关工程文件见最下方附件. /*************************************说明***

MCU低功耗设计(二)实践 关键词: MCU低功耗, STM8L低功耗, 节能实践, IAR开发环境, 电流表测功耗 引言: 用电池供电的产品来说能耗是一个重大的问题,一旦电能耗尽设备将"罢工".在<MCU低功耗设计(一)理论>中,我们介绍了节能的原理,本文用万用表和MCU电路板,真刀真枪地测试功耗值.简单,但绝对真实的测试数据,看看官方宣称低功耗与实测结果有多大差距,Let's go! 说明: 博客的书写工具对于图片的编辑支持力度不够,喜欢本博文的读者可以从以下连接下载P

三.门级电路低功耗设计优化 (1)门级电路的功耗优化综述 门级电路的功耗优化(Gate Level Power Optimization,简称GLPO)是从已经映射的门级网表开始,对设计进行功耗的优化以满足功耗的约束,同时设计保持其性能,即满足设计规则和时序的要求.功耗优化前的设计是已经映射到工艺库的电路,如下图所示: 门级电路的功耗优化包括了设计总功耗,动态功耗以及漏电功耗的优化.对设计做优化时,优化的优先次序如下: 由此我们可以找到, 优化时,所产生的电路首先要满足设计规则的要求,然后满足延

前面学习了从系统级到门级的低功耗设计,现在简单地了解了一下物理级设计.由于物理级的低功耗设计与后端有关了,这里就不详细学习了.这里主要是学习了一些基本原则,在物理级,进行低功耗设计的基本原则是:   ·对于设计中翻转活动很频繁的节点,采用低电容的金属层进行布线; ·使高翻转率的节点尽可能地短;  ·对于高负载的节点与总线,采用低电容的金属层; ·对于特别宽的器件,采用特殊的版图技术,以得到更小的漏极结电容.  ·在有些布局布线工具中,可以将功耗作为优化目标来生成时钟树. 低功耗设计入门的学习到这

前面学习了进行低功耗的目的个功耗的构成,今天就来分享一下功耗的分析.由于是面向数字IC前端设计的学习,所以这里的功耗分析是基于DC中的power compiler工具:更精确的功耗分析可以采用PT,关于PT的功耗分析可以查阅其他资料,这里不涉及使用PT的进行功耗分析. (1)功耗分析与流程概述 上一个小节中讲解了功耗的构成,并且结合工艺库进行简要地介绍了功耗的计算.但是实际上,我们根本不可能人工地计算实际的大规模集成电路的功耗,我们往往借助EDA工具帮我们分析电路的功耗.这里我们就介绍一下EDA

关键词: 低功耗设计, 无线通信产品, LoRa长距离, Contiki系统, 能耗实时跟踪 引言: 能耗对电池供电的产品来说是一个重大问题,一旦电能耗尽设备将"罢工".在<MCU低功耗设计(一)理论>中,我们介绍了节能的原理:在<MCU低功耗设计(二)实践>中,实测了STM8L151C8的低功耗值. 本文介绍无线通信产品的低功耗设计,首先实测MCU与射频芯片I/O设置的功耗,然后测试射频芯片不同模式下功耗,其次使用Contiki系统的energest模块实时跟

MCU低功耗设计(一)理论 关键词:MCU低功耗, STM8L低功耗, 节能技巧 一．MCU耗能因素 现代的MCU一般使用CMOS技术,耗能包括2方面: 静态消耗 主要是晶体管消耗能量: 动态消耗 公式=C×V2×f,其中C是CMOS的负载电容,V是供电电压,f是时钟频率: 总电能消耗是静态消耗和动态消耗之和,即:IDD=f×IDynamicRun[uA/MHz]+IStatic[uA]. 因此,电能消耗依赖于: MCU芯片尺寸  或者说晶体管的数目: MCU供电电压  降低电压可以成平方级别地