RAM/ROM IP一次性总结

1, 若需要修改memory mode, 需重新编译; 若不需要修改memory mode, 直接修改宏参数即可;

2, 宏参数列表:

3, 注意用LE搭memory的情况;

4, memory type与读写触发边沿(triggering)

注意,read/write triggering与地址/数据锁存是有区别的。

把triggering point理解为实际读/写发生的时间点,可以是上升沿或者下降沿;但地址/数据的锁存永远是在上升沿发生的。

5, 名词解释 -- continuous read

… when you write a data at the write clock rising edge and after the write operation is complete, you see the writtern data at the ourput port without the need for a read clock rsing edge.

MLAB ram supports continuous read.

6, 名词解释 – write cycle time interval

tWC, write cycle time internal, 指对同一地址的两次成功写操作之间的最小时间间隔。假如在tWC之内对同一地址有多于一次写操作,那么写内容可能是未知的。

      

7, memory ram存储深度与功耗

(1) 首先要说明,RAM的存储深度一定需要是2的n次幂。会有些文档描述,指M9K最大的memory depth是8K;为什么9K的空间只有8K的深度呢?就是因为存储深度一定需要是2的n次幂。

(2) 依据memory type不同,相应的最大存储深度不一样

The maximum block depth setting 64 for MLAB is not available for Arria V and Cyclone V devices.

(3) 如(1)所述,M9K最密可以分割成8Kx1的存储格式。事实上,最小存储单位(多少bit)稍微大一点,整个Ram块的功耗会相对下降。但该规律不是一直线性的,边界在存储深度为256时。

When the RAM is sliced shallower, the dynamic power usage decreases. However, for a RAM block with a depth of 256, the power used by the extra LEs starts to outweigh the power gain achieved by shallower slices.

8, address enable以及读写时序

… address enable (…) holds the previous address value for as long as the signal is enabled (addressstall = 1), 即保持住地址值。

address enable的实现电路如下:

重点是下图描述外部信号到内部存储cell的数据流向。看完此图后理解RAM读写时序应该不会有任何困难。

9, byte enable

byte enable mask的是写操作。先确认1-bit的byte enable控制多少比特实际数据(size)、确保写入数据宽度与size是整数倍关系即可。

可选的size值有:5, 8, 9, 10。不同的RAM类型可用的值不同

10, memory block上电时的初始值

只有MLAB可以灵活控制上电时的输出初值

11, freeze logic

用于重配置

原文地址:https://www.cnblogs.com/freshair_cnblog/p/12092717.html

时间: 2024-11-08 22:41:16

RAM/ROM IP一次性总结的相关文章

RAM ROM Flash

首先,计算机的基本组成主要包括五大部分:控制器.运算器.存储器.输入设备.输出设备.而不管是RAM.ROM还是Flash,它们的共同点是都是存储器部分. 既然是存储器,那其功能也就是主要是存储程序.数据等信息.比较熟悉的不那么专业的存储器有主存.硬盘.光驱.U盘等等,其实这些存储设备,就是上面提到的RAM.ROM.Flash等等.下面一一介绍: RAM: RAM是random access memory的缩写,中文名字是随机存储器.顾名思义,既然是随机存储器,就是说它的存取是随机的,存取的速度与

RAM/ROM个人理解

1,什么是RAM/ROM RAM:Random Access Memory,在系统掉电之后,里边的数据就会丢失,比如说电脑的内存条. ROM:Read Only Memory,在系统掉电后能可以保存数据. 2,常见的RAM SRAM static RAM(静态RAM),目前最快的RAM,一般用做CPU的一级缓存.     DRAM Dynamic RAM(动态RAM),比SRAM慢,但是比ROM快的多,原来的计算机的内存条就是DRAM.所谓动态,是因为DRAM的数据会丢失,需要一直刷新.   

使用 stvd 编译STM8S 时能看到使用RAM ROM大小的方法

刚刚安装的STVD编译器,编译时候不显示用了多少RAM和ROM?对于此问题.有两个方法:一是看.map文件 还有一种是 添加一个补丁,详细操作例如以下,能够在我的资源里下载对应的文件. http://download.csdn.net/detail/chuangwu2009/7350127 网上找到的: 1. 将附件压缩包中的mapinfo.exe解压到stvd的\安装路径\STMicroelectronics\st_toolset\stvd中: 2. 用stvd打开你的project文件,在p

MOV/MOVX/MOVC、RAM/ROM

(一) MOV:访问内部RAM(数据存储器),串行口访问 (对于51单片机来说,内部RAM256bit,00H-FFH) MOVX:访问外部RAM MOVC:访问程序存储器 ROM,(对于51单片机来说内部ROM大小为4KB,外部ROM大小为64KB) (二) PC只能用于访问程序存储器 程序计算器

基于Vivado调用ROM IP core设计DDS

 DDS直接数字式频率合成器(Direct Digital Synthesizer) 下面是使用MATLAB生成正弦波.三角波.方波的代码,直接使用即可. 1 t=0:2*pi/2^12:2*pi 2 y=0.5*sin(t)+0.5; 3 r=ceil(y*(2^8-1)); %将小数转换为整数,ceil是向上取整. 4 fid = fopen('sin.coe','w'); %写到sin.coe文件,用来初始化sin_rom 5 fprintf(fid,'MEMORY_INITIALIZAT

RAM,ROM,NAND Flash,NOR Flash

他们四者相互独立 RAM掉电易失数据, ROM掉电不丢失数据. NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术, Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机,移动设备的内存.MP3随身听记忆卡.体积小巧的U盘等.

兔子--RAM,ROM

概念RAM(random access memory)即随机存储内存,这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序. 相当于电脑的内存,内存负责程序的运行以及数据交换,有了它,电脑中的软件才能运行,并有了进程: 它支撑的是手机软件的运行,存放手机软件运行后进行的数据交换等工作. 也就是,RAM决定了您的手机可以开多少后台程序,当然,RAM越大,手机的运行速度就越快.一旦手机关机, RAM中的数据就丢失,开机后也不会恢复. ROM(Read-Only Memory)即只读内存

RAM,SRAM,DRAM,SDRAM,DDR RAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM,NAND FLASH,NOR FLASH的区别

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取

只读储存器ROM IP核设计

原文地址:https://www.cnblogs.com/mengyi1989/p/11515982.html