STM32 FLASH
Cortex M3 M4存储器映射：
时间： 2024-07-29 16:08:20
STM32F4 FLASH笔记
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STM32F4学习笔记（一）
新建工程 由于使用固件库开发的高效便捷,我选择了使用STM32F4标准外设库.开发板的芯片为STM32F429XX,其他的可根据相关情况进行变化. 在标准固件库中,存在在CMSIS和STM32F4xx_StdPeriph_Driver两个文件夹.在工程中新建一个文件夹Drivers,在此目录中再新建两个目录Inc和Src,分别用于 保存头文件和源文件.将STM32F4xx_StdPeriph_Driver目录下的头文件和源文件,分别拷贝到Drivers目录下的录中.再将CMSIS目录中的需要的文
W5500 图片嵌入STM32 FLASH笔记（备忘）
方法一:利用winHex软件将图片转为16进制数组存储在FALSH中 1 __root const char HDMV_HTML[]="<html>" 2 "<head>" 3 "<meta http-equiv='Content-Type' content='text/html; charset=utf-8' />" 4 "<!-- TemplateBeginEditable name='do
STM32F4学习笔记2——时钟与复位系统
STM32F4采用了三种不同的时钟用来驱动系统时钟(SYSCLK) ·HSI振荡器时钟(内部时钟) ·HSE振荡器时钟(外部时钟) ·PLL时钟(锁相环时钟) 这些设备有以下两种二级时钟源 ·32kHz低速内部RC,可用于驱动独立看门狗和通过程序选择驱动RTC.RTC用于从停机/待机模式下自动唤醒系统. ·32.768kHz低速外部晶振也可以用来通过程序选择驱动RTC(RTCCLK). AHB总线最高支持168MHz的时钟,通过AHB总线分频APB2最高支持84MHz,APB1最高支持42MHz
STM32F4学习笔记7——USART Part2
硬件流控制 使用 nCTS 输入和 nRTS 输出可以控制 2 个器件间的串行数据流.如图显示了在这种模式 下如何连接 2 个器件: 分别向 USART_CR3 寄存器中的 RTSE 位和 CTSE 位写入 1,可以分别使能 RTS 和 CTS 流 控制. RTS 流控制 如果使能 RTS 流控制 (RTSE=1),只要 USART 接收器准备好接收新数据,便会将 nRTS 变 为有效(连接到低电平).当接收寄存器已满时,会将 nRTS 变为无效,表明发送过程会在 当前帧结束后停止.下图图显示了
STM32F4学习笔记10——RTC实时时钟
RTC实时时钟 实时时钟 (RTC) 是一个独立的 BCD 定时器/计数器.RTC 提供一个日历时钟.两个可编程 闹钟中断,以及一个具有中断功能的周期性可编程唤醒标志.RTC 还包含用于管理低功耗模 式的自动唤醒单元. 两个 32 位寄存器包含二进码十进数格式 (BCD) 的秒.分钟.小时(12 或 24 小时制).星 期几.日期.月份和年份.此外,还可提供二进制格式的亚秒值. 系统可以自动将月份的天数补偿为 28.29(闰年).30 和 31 天.并且还可以进行夏令时 补偿. 其它 32 位寄
LCD实验学习笔记（七）：NAND FLASH
s3c2440 CPU内置NAND FLASH控制器.相关寄存大器起始地址为0x4e000000. 通过设置NFCONF寄存器,设置NAND FLASH 时序. 通过设置NFCONT寄存器,使能NAND FLASH.初始化ECC等. 代码: #define GSTATUS1 (*(volatile unsigned int *)0x560000B0) //读此寄存器可以知道CPU芯片型号#define BUSY 1 #define NAND_SECTOR_SIZE_LP 2048 //大页每页2
STM32F412应用开发笔记之六：使用片上Flash存储参数
我们的项目中需要保存一些系统配置参数,这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.这就需要考虑这些参数保存的问题.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济.STM32F4的Flash架构如下: 这次NUCLEO-F412ZG测试板上
DSP2812学习笔记-Flash固化操作
DSPFlashLED以CCS3.3版本为例,介绍下关于DSP2812固化烧写的过程. 1.保证工程在RAM中调试完成: 2.配置好Flash.cmd文件,并加入工程:(CMD文件编写参考 ,Flash.cmd代码见附录1) 3.加入起始代码asm文件DSP281x_CodeStartBranch.asm: 4.配置C文件,并将初始化FLASH中的代码拷贝到RAM中运行:(C文件配置见附录2) 5.重新编译工程: 6.选择工具栏 Tools--F28xx On--Chip Flash Progr
DSP2812学习笔记-内部Flash启动过程
2812从内部flash启动的详细流程说明: a) 程序硬件复位或者软件复位 b) 判断mp/mc是否为0,为0则从boot rom启动,否则从外部启动(见附录1) c) 到boot rom的0x3FFFC0处取出复位向量,跳到boot函数 d) 采集IO管脚状态,根据IO状态选择boot方式(见附录2) e) 如果是flash,程序退出boot函数,跳转到0x3F7FF6 f) 取出跳转指令,跳转到自己的指定地址或者C初始化的入口_C_INT00处 g) 在C初始化的入口_C_INT00对一