tDQSS

tDQSS - DQS latching rising transitions to associated clock edges, as described on Table 41/42 of JESD79-2E

As described in above image, tDQSS = DQS_rise – CK_rise.

It can also be seen that, parameters, like WL, are related to CK.

Refer to case_2, DQ is valid before WL is satisfied.

时间： 2024-11-04 20:09:24

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原文地址:http://www.cnblogs.com/shengansong/archive/2012/09/01/2666213.html DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”.DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来.也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流.本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM(又称SDR SDRAM)的不同. DDR的核

（转）s5pv210——DDR-SDRAM时序原理

DDR SDRAM 全称为 Double Data Rate SDRAM,中文名为"双倍数据流 SDRAM".DDR SDRAM 在原有的 SDRAM的基础上改进而来.下图是DDR和SDRAM的数据传输对比图图上可以清楚的看到,DDR SDRAM可在一个时钟周期内传送两次数据,上升沿传一次,下降沿传一次. 1.DDR的基本原理先来看一张DDR读操作时序图从中可以发现它多了两个信号:CLK#与DQS,CLK#与正常 CLK 时钟相位相反,形成差分时钟信号.而数据的传输在 CLK 与

DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

【转】DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）

这两天正在学习FPGA如何控制DDR3的读写,找到一篇个人感觉比较有意义的文章,可以对DDR的内部结构有一个初步的了解.原文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28458801-id-3459509.html,感谢大神的付出. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(R

DDR(二)

DDR与SDRAM的最大区别:内部L-Bank的规格不同. SDRAM中的L-Bank存储单元的容量与芯片位宽相同, DDRAM中的存储单元的容量是芯片位宽的一倍. 所以一次的地址访问,可以进行2-Prefetch.内部的L-Bank一次传输2Nbit的数据,分为Nbit的数据传给复用器, 然后在DQS信号的控制下,每次分Nbit进行传输. 差分时钟,CK/CK#,其中的CK#并不能理解为第二个触发时钟,它起到的作用是校准CK的上下沿. (在CK上升沿快,下降沿慢的情况下,CK#则是上升沿慢,下