P(positive)型半导体
空穴(共价键上流失一个电子)浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体,在纯净硅晶体中掺入三价元素
N(negative)型半导体
自由电子浓度远大于空穴(共价键上流失一个电子)浓度的杂质半导体,在纯净硅晶体中掺入五价元素
注意:P型半导体呈电中性,空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。
Q:为什么不直接用P型或N型半导体?
时间: 2024-11-09 00:37:32
P(positive)型半导体
空穴(共价键上流失一个电子)浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体,在纯净硅晶体中掺入三价元素
N(negative)型半导体
自由电子浓度远大于空穴(共价键上流失一个电子)浓度的杂质半导体,在纯净硅晶体中掺入五价元素
注意:P型半导体呈电中性,空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。
Q:为什么不直接用P型或N型半导体?