CMOS (1)–PMOS与NMOS

PMOS: NMOS: NMOS是栅极高电平(VGS > Vt)导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通.PMOS是栅极低电平(VGS < Vt)导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通. PMOS 和 NMOS使用总结 上图为USB OTG电源管理分离电路 分析如下 1)假定左侧无电压,右侧为5V U14左侧三极管关闭右侧三极管导通,导致Q3 PMOS管关闭,结果为右侧电流无法流入左侧: 2)假定左侧为5V,右侧无电压 U14左侧三极管导通右侧三极管关闭,导致Q3 PMOS管导通,结果

最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路.在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录. 一. MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管".从名字中就可看出这是一种场效应管,场效应管为我们带来了逻辑电路,从而有了计算机的物理实现.所有的场效应管的原则都是通过输入控制输出,具体来讲就是通过控制元件某部分的电压,来改变元件的导电性,从而改变流过元

Transistor Tutorial Summary Transistor Tutorial Summary Bipolar Junction Transistor Tutorial We can summarise this transistors tutorial section as follows: The Bipolar Junction Transistor (BJT) is a three layer device constructed form two semiconduct

PS:转载请标明出处:http://www.cnblogs.com/IClearner/ 作为一个学微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. 今天的主要内容如下所示: ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是必要,会补充).

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写.它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片,是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片.因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的. 电压控制的一种放大器件,是组成CMOS数字集成电路的基本单元.而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序.BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中,在开机时通过特

前几天开始自学拉扎维的模设教材,看之前浏览了EETOP论坛里面好多大神们对这本书的看法,当然也有人在抱怨,比如冒出“太科幻”.“一年才看完”之类恐怖的修饰语句,因此在开始看的时候就对此书充满了“敬畏”之情,于是打算以“边看边练”的方法完成课后习题以巩固所学.今天看完了第二章,一个下午只做了2.1-2.5这五道题,看上去不难,做的时候漏洞百出,于是自己打算把遇到的问题回顾一下.由于是半路出家,所以有不对的地方还望各位指出以便改正.刚起步也没做过什么项目,因此说不出什么设计思想,就当是课后习题总结吧

一.定义: 上拉就是将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉同理! 上拉是对器件注入电流,下拉是输出电流:弱强只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分:对于非集电极(或漏极)开路输 出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道. 二.上下拉电阻作用: 1.提高电压准位: a.  当 TTL 电路驱动 COMS 电路时,如果 TTL 电路输出的高电平低于 COMS 电路的最低高电平(一般为 3.5V), 这时就

接触MOS管已经有很长时间了,关于它的理论分析以及在实际电路中的用法也接触过一部分,但始终没有弄清楚它的内部结构,对其工作原理也是云里雾里的,因为这涉及到半导体器件物理中的好多知识,随便一个小问题都有可能牵扯出一大堆的理论推导出来,因此一直没有把MOS管的基础知识搞清楚.最近抽了些时间,耐心的看了几遍资料,总算是弄清楚了点头目,现在总结一下. MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写,即金属-氧化物-半导体场效应晶体管

1. Field of the Invention This invention relates in general to an integrated circuit and more specifically to well biasing circuitry for transistors of an integrated circuit. 2. Description of the Related Art Integrated circuits utilize transistors,