SRAM和DRAM的区别

随机访问存储器(RAM)分为静态随机访问存储器(Static Random
Access Memory - SRAM)和动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory -DRAM)。

一、静态随机访问存储器(SRAM)

静态随机访问存储器是随机访问存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile
memory),这与在断电后还能储存资料的ROM闪存是不同的。SRAM由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路组成,容量的扩展有两个方面:位数的扩展用芯片的并联,字数的扩展可用外加译码器控制芯片的片选输入端。SRAM中的每一bit储存在由4个场效应管(M1,
M2, M3, M4)构成两个交叉耦合的反相器中。另外两个场效应管(M5, M6)是储存基本单元到用于读写的位线(Bit Line)的控制开关,如下图1所示。

图1

除了6管的SRAM,其他SRAM还有8管、10管甚至每个位元使用更多的晶体管的实现。这可用于实现多端口(port)的读写访问,如显存或者寄存器堆的多口SRAM电路的实现。一般说来,每个基本单元用的晶体管数量越少,其占用面积就越小。由于硅芯片(silicon
wafer)的生产成本是相对固定的,因此SRAM基本单元的面积越小,在硅芯片上就可以制造更多的位元存储,每位元存储的成本就越低。内存基本单元使用少于6个晶体管是可能的,如3管甚至单管,但单管储存单元是DRAM,不是SRAM。

SRAM是比DRAM更为昂贵,但更为快速、非常低功耗(特别是在空闲状态)。因此SRAM首选用于带宽要求高,或者功耗要求低,或者二者兼而有之。SRAM比起DRAM更为容易控制,也更是随机访问。由于复杂的内部结构,SRAM比DRAM的占用面积更大,因而不适合用于更高储存密度低成本的应用,如PC内存。

SRAM功耗取决于它的访问频率。如果用高频率访问SRAM,其功耗比得上DRAM。有的SRAM在全带宽时功耗达到几个瓦特量级。另一方面,SRAM如果用于温和的时钟频率的微处理器,其功耗将非常小,在空闲状态时功耗可以忽略不计—几个微瓦特级别。SRAM比较常见的应用是作为微控制器的RAM或者cache(32bytes到128kb)

二、动态随机存取存储器(DRAM)

动态随机访问存储器是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中电容会有漏电的现象,导致电位差不足而使记忆消失,因此除非电容经常周期性地充电,否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,“静态”存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。与SRAM相比,DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理。DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵,图2所示是一个4×4的矩阵,现代的DRAM通常长和宽都在几千个。相比之下,在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因此缘故,DRAM拥有非常高的密度,单位体积的容量较高,因此成本较低。DRAM也有缺点,DRAM也有访问速度较慢,耗电量较大的缺点。与大部分的随机存取存储器(RAM)一样,由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失,因此它属于一种易失性存储器(volatile
memory)设备。

图 2

时间: 2024-10-16 03:47:01

SRAM和DRAM的区别的相关文章

浅谈关于SRAM与DRAM的区别

在上体系结构这门课之前,我只知道DRAM用作内存比较多,SRAM用作cache比较多.在今天讲到内存技术时,我对于这两个基础概念有了更加完整的认识.这篇文章是我的听课心得,现在分享给各位,仅供参考,若有错误多多指正. 从名字上看,SRAM与DRAM的区别只在于一个是静态一个是动态.由于SRAM不需要刷新电路就能够保存数据,所以具有静止存取数据的作用.而DRAM则需要不停地刷新电路,否则内部的数据将会消失.而且不停刷新电路的功耗是很高的,在我们的PC待机时消耗的电量有很大一部分都来自于对内存的刷新

SRAM、DRAM、硬盘、ROM、RAM、EPROM、FLASH区别和联系

本文转自xiaoyangger的专栏,地址为:http://blog.csdn.net/xiaoyangger/article/details/7683646 SRAM和DRAM的区别和联系:(电脑中的内存属于DRAM,CPU中的二级缓存属于SRAM) 存储原理 RAM(Random Access Memory )随机存取存储器,主要的作用就是存储代码和数据供CPU 在需要的时候调用. 但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单,更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样,不但要放进去还要能够在需要的

(转)RAM、ROM、SRAM、DRAM、SSRAM、SDRAM、FLASH、EEPROM的区别

RAM(Random Access Memory) 随机存储器.存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器.这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序. 按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM). ROM(Read-Only Memory)只读存储器,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器.其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除.通常

简介nandflash、norflash、ram、sram、dram、rom、eeprom、flash的区别

1.nandflash Nandflash是IO设备,数据.地址.控制线都是共用的,需要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash.内存一样随机访问,不能EIP(片上运行),因此不能直接作为boot. S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,因为在S3C2440里有一个内置的SRAM, 叫做stepping stone(垫脚石,很形象-),系统启动加电后, 会把nandflash上的起始4KB的内容拷贝到SRAM里执行,这样就实现了从nandflash启动.

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

ROM 和 RAM 区别: ROM : Read Only Memory RAM : Random Access Memory ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据, RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类: 一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态. RAM(Dynamic RAM/DRAM

SRAM、DRAM和SDRAM的区别

特点简介: SRAM :静态RAM,不用刷新,速度可以非常快,像CPU内部的cache,都是静态RAM,缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多,因而价格昂贵,容量不大. DRAM:动态RAM,需要刷新,容量大. SDRAM:同步动态RAM,需要刷新,速度较快,容量大. DDR SDRAM:双通道同步动态RAM(朱老师讲的双倍率,不是太重要),需要刷新,速度快,容量大.

简单介绍nandflash、norflash、ram、sram、dram、rom、eeprom、flash的差别

1.nandflash Nandflash是IO设备,数据.地址.控制线都是共用的,须要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash.内存一样随机訪问,不能EIP(片上执行).因此不能直接作为boot. S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,由于在S3C2440里有一个内置的SRAM. 叫做stepping stone(垫脚石,非常形象-).系统启动加电后, 会把nandflash上的起始4KB的内容复制到SRAM里运行,这样就实现了从nandflash启动.

SRAM与SDRAM的区别

SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写.目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片,工作电压3.3V电压,存取速度高达7.5ns,而EDO内存最快为15ns.并将RAM与CPU以相同时钟频率控制,使RAM与CP