首先申明我用的NandFlash的型号是K9K8G08U0B，这里不做这款NandFlash芯片硬件结构的分析，只是分析NandFlash初始化的时候要配置NFCONF寄存器，这里涉及到这个寄存器中的三个参数，分别是TACLS，TWRPH0，TWRPH1，这三个参数关系到这款NandFlash的一个基本的时序问题。之前一直没有仔细研究过这么一段NandFlash的初始化函数，我先把这个子函数的代码贴出来：
static void NF_Init(void)
{
GPACON = (GPACON & ~(0x3f<<17)) | (0x3f<<17); //设置芯片引脚
//TACLS=1、TWRPH0=2、TWRPH1=0，8位IO
NFCONF = (TACLS<<12) | (TWRPH0<<8) | (TWRPH1<<4) | (0<<0);
//非锁定，屏蔽nandflash中断，初始化ECC及锁定main区和spare区ECC，使能nandflash片选及控制器
NFCONT =(0<<13) | (0<<12) | (0<<10) | (0<<9) | (0<<8) | (1<<6) | (1<<5) | (1<<4) | (1<<1) |(1<<0);
}
这段代码来自http://blog.csdn.net/zhaocj/article/details/5795254此链接，是赵春江老师的博客，个人觉得写得非常不错。
第一句代码，配置芯片的引脚，一开始我看赵老师的博客，给这句代码这么注释，我也一头雾水，今天通过一个高中的同桌给我分析的这时序问题，偶然发现第一句代码，注释成“设置芯片引脚”，现在能看懂了，哈哈，我这里顺便解释一下，看到s3c2440A的芯片手册的281页，发现是配置GPA17,GPA18,GPA19,GPA20,GPA21,GPA22分别为CLE引脚，ALE引脚，nFWE引脚，nFRE引脚，nRSTOUT引脚，nFCE引脚，这里我说的太啰嗦了，结合下面的图片，可以理解成，向寄存器GPACON的17位到22位这中间的6位分别都写1，不要让这几位配置成output（输出）引脚，你要使用NandFlash，引脚必须这么配置呀，对照着下面的图片，可以理解一下：
《嵌入式Linux应用开发》里没有写这么一句，其实也没有多大关系，因为复位以后，寄存器GPACON的默认值就是0xffffffff，所以不用写，不过基于程序的严谨性，我觉得还是写写为妙。至于这里CLE引脚，ALE引脚，nFWE引脚，nFRE引脚，nRSTOUT引脚，nFCE引脚是什么东西，就是NandFlash的原理图和s3c2440A芯片连接的状态图了，把NandFlash的原理图贴出来就明白了：
CLE表示命令锁存使能，高电平有效；CE表示芯片使能，上面加了一个横杆，表示低电平有效;RE同样加了横杆，表示读使能，低电平有效等等；这些为后面的时序分析做铺垫了。
讲了半天，只是说解释了第一句代码，想必你已经看得不耐烦了，不用急，下面分析第二句代码：
NFCONF为NandFlash的配置寄存器，里面配置TACLS，TWRPH0，TWRPH1这三个值。
看了赵春江老师博客里对三个值是这么解释的：“NFCONF主要用到了TACLS、TWRPH0、TWRPH1，这三个变量用于配置nandflash的时序。s3c2440的数据手册没有详细说明这三个变量的具体含义，但通过它所给出的时序图，我们可以看出，TACLS为CLE/ALE有效到nWE有效之间的持续时间，TWRPH0为nWE的有效持续时间，TWRPH1为nWE无效到CLE/ALE无效之间的持续时间，这些时间都是以HCLK为单位的（本文程序中的HCLK=100MHz）。通过查阅K9F2G08U0A的数据手册，我们可以找到并计算该nandflash与s3c2440相对应的时序：K9F2G08U0A中的tWP与TWRPH0相对应，tCLH与TWRPH1相对应，（tCLS－tWP）与TACLS相对应。K9F2G08U0A给出的都是最小时间，s3c2440只要满足它的最小时间即可，因此TACLS、TWRPH0、TWRPH1这三个变量取值大一些会更保险。在这里，这三个值分别取1，2和0。”引用的话我先用红色标记一下，其实对于一个软件工程出生的我来说，看懂这么一大段，还是有点吃力的，先把时序相关的原理图晒出来：
（注：上图来自s3c2440A的216页，把它称为图a）
（注：上图来自K9K8G08U0B数据手册的24页，把它称为图b）
首先解释一下HCLK是系统的运行的时候主频，因为我用的开发板是mini2440arm9的，主频最快达到400MHz，所以，我可以设置HCLK为100MHz，所以一个时钟周期是10ns，这里算出这里的时钟周期在后面是有用的。接下来看图a的第二条时序（CLE/ALE），这个时序表示的意思是命令或地址锁存使能，高电平有效，所以当CLE或者ALE发出一个高电平的时候，对应表示使能了命令锁存使能或者使能了地址锁存器；第三条时序（nWE）这个表示的意思是写使能，低电平有效；由上面的分析得首先CLE或者ALE电平被拉高（有效），接着nWE被拉低（有效），之间的时间差为TACLS，再看图b，图b中的那句英文Command
Latch cycle（命令持续周期），可以看出这是一个发送命令的时序图，发送命令分为两步，首先使能CLE（这时你可以看到ALE是低电平并没有被使能），NandFlash告诉s3c2440A说：我现在要发送命令给你了，第二步，发送什么命令，由WE来控制，低电平的时候表示准备发送命令的具体内容了。所以上面TACLS=tcls-twp，，，因为tcls和twp在芯片中都有一个固定的最小时间的可以参考下面的表格：
（注：上图为表1）
根据上面表格，可以看出tcls和twp持续时间的最小值都是12ns，所以TACLS的最小时间可以为0，就是你在使能CLE的同时就可以使能WE了，理论上是可以这样。
所以寄存器NFCONF的13和12位可以配置成0，也就是TACLS的值可以为0，不过寄存器的默认值是设置为01的，即TACLS的值为01更加保险吧，中间各一个时钟周期（10ns）更安全吧。
对应的TWRPH0,分析要结合图b中的CLE中的tCLH，tCLH时间表示的是CLE使能命令至少要持续tCLE纳秒的时间，才会使使能信号有效，所以这里设置TWRPH0的值为2，再加上上图中 的1就可以分析出现在Duration的时间为3倍的时钟周期，也就是30ns，对应图b，如果TWRPH1的值写0的话，则TWRPH1的Duration时间也就是tCLH的时间为10ns，大于5ns，满足了一个条件；还可以分许出tCLS为40ns，大于最小要求12ns了，满足了条件2；最后这里的twp为30ns，大于12ns，满足条件3，所以到这里时序就配置好了。
写到凌晨2点多终于可以结束了，还是感谢高中的同桌，学电子的，为我耐心解答，下面你再看看上面红色的那段话，是不是又有重新的体会呢？