SDRAM 芯片讲解：
地址： 行地址 （A0-A12） 列地址 （A0-A8） 片选信号（BA0 BA1）（L-BANK）（因为SDRAM有 4片）
两片SDRAM 连线唯一区别在 UDQM LDQM
DQM0 ---片1 LDQM
DQM1----片1 UDQM
DQM2----片2 LDQM
DQM3---片2 UDQM
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1、读操作（见杨铸 121）
地址线上送上要读数据的地址自然要有地址才行，（就好比送快递，首先你得确定好要送达的目的地址在哪里一样）
确定地址：CS低电平 即 nSCS0 拉低，选中外接设备 ， L—BANK 也选中SDRAM 内部对应 某一片 （这样就定址了），而且同时
RAS 行地址选通信号也处于有效状态，当然这是要写列地址肯定要 行地址稳定才行（需要时间 tRCD=2）,
列地址也假装不稳定，需要一个时间延迟（我们称为 CAS 潜伏期），当然并非不稳定，是芯片自身原因。
地址这样一步步确定，就可以读了（怎么不是写啊，因为 WE 无效，不让写啊，所以相当于读了。有效，就是写）
2、预充电操作
要对同一个L-BANK 的另一行进行寻址，自然要把原先一行关掉。重新发行列地址。
关掉原先一行，要预充电（目的是对整个存储体原有信息进行重写，然后再关闭操作行）
即预充电包含两步（重写+关闭原先行），但是预充电不定期，只在读操作执行
3、写操作
和读操作一样，唯一区别是 经过行延迟（tRCD后）输入写命令（WE低电平有效，拉低，就可以写）
在写完最后一个数据后， 延迟 tWR，发送预充电命令。关闭激活页。
等待 tRP 时间后可以进行下一次操作。
4、写操作
5、刷新操作
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以上可以结合 杨铸书籍和s3c2440芯片手册 memory contrl 来分析的，不算难，除了刷新没耐性看，还好
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开始做内存驱动实验：（2.6.8）