函数：
1.Flash_Compact_B
用于flash硬件检测。检测并校正flash里的电荷损耗bit。该函数一次只校正一个sector。
2.Flash_Blank_B
用于验证flash是否被正确擦除。每个bank单独调用，不能同时用于多个bank。
1=region is blank；
0=region is no blank（读取值为非0xFFFFFFFF）
3.Flash_Verify_B
验证写入的数据是否正确。
4.Flash_Verify_Data_B
验证写入的数据是否正确。
与Flash_Verify_B的区别是：指定了用于跟flash数据进行比对的buff里的数据长度。
NOTE:
1.调用Flash_Erase_B,Flash_Sector_Erase_B,Flash_Start_Erase_B之前先调用Flash_Compact_B，Flash_Compact_B不会对现有数据有任何影响，仅校正有可能存在的电荷损耗现象（depletion）；
2.擦除过程中发生中断可能会导致产生这样的位：紧接着的Flash_Blank_B检测为已擦除，但是未被完全擦除（完全充电）的位。
解决方法：通过调用Flash_Blank_B将status.Stat1传给Flash_Erase_B来修正这样的bit。1）若Flash_Blank_B返回值为TRUE，则status.Stat1 = 0x12345678，Flash_Erase_B将屏蔽预处理步骤（将所有的位置0），仅擦除和compact；
2）若Flash_Blank_B返回值为FALSE，则status.Stat1 = 0x00000000，Flash_Erase_B执行完整的过程（full erase）。
**由于Flash_Start_Erase_B和Flash_Erase_Sector_B没有status参数，所以无法使用该功能。
结合以上两点，我们可以得出这样的结论：
1）每次擦除之前先调用Flash_Compact_B检测硬件是否完好；
2）再调用Flash_Blank_B检测是否为blank，如果是，就可以省去擦除预处理步骤以节省大量时间（使用FLASH_ERASE_B）；
不同的擦除流程比较
1.使用FLASH_ERASE_B函数
1）可擦除任意个sector；
2）从数据吞吐量的角度看令人满意：被识别为blank的sector处理更快，但代码复杂；
3）优点：能够屏蔽预处理（屏蔽预处理能够极大地提高blank sector的擦除速度）；
4）即使被识别为blank的块也要再擦除一次，以避免Flash_Erase_B过程中产生的不合格的数据；（使用之前无论如何再擦一遍就是了）
**Flash_Erase_B是唯一一个记录erase和compaction脉冲记数的函数。（有什么用处呢？）
2.使用FLASH_ERASE_SECTOR_B函数
1）可擦除任意个sector；
2）从数据吞吐量的角度看令人不太满意：所有的sector都执行了完整的擦除过程（full erase，包括预处理过程，相比FLASH_ERASE_B要慢）；
3）优点：代码简洁；
4）即使被识别为blank的块也要再擦除一次，以避免Flash_Erase_Sector_B过程中产生的不合格的数据；（跟FLASH_ERASE_B一样）
5）无相关脉冲记录（相比于FLASH_ERASE_B）。
3.使用FLASH_START_ERASE_B和FLASH_STATUS_U16
1）可擦除任意个sector；
2）优点：多任务处理，状态机在执行擦除操作的同时可以执行其他指令
3）使用之前无论如何再擦一遍！
4）无相关脉冲记录（相比于FLASH_ERASE_B）。
写入流程
1）对于用到的sector，每次写入之前都要擦除；
2）管理要存入的数据。i.e.如果要存入的数据量大，需要跨bank存储，那么需要先对数据进行分割，并针对不同的bank单独调用FLASH_PROG_B。
原文地址：http://www.cnblogs.com/luyaoss/p/7044359.html