关于STM32内部flash的使用(续)

真的很着急,看那极速赛车网站开发 haozbbs.comQ1446595067 些老师云里雾里说来说去,他们知道自己说的是什么吗? 正点原子:第67讲 FLASH闪存编程原理与步骤-M3第68讲 FLASH模拟EEPROM实验-M3 其实就是说STM32的闪存,主要是读/写/擦除,做出了一个风格和SPI FLASH一致的模块. 而所谓的模拟EEPROM其实是:前者是页为单位,写之前要擦除,一擦就是2k这样(李工说:主要是器件只能1-->0而不能0-->1所以擦除其实是全部覆盖成1),而后者EE

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /******************************************************************************** Function Name  :

STM32内部分为几个区域,包括了 (1)主存储区,主要存储代码和constant变量; (2)系统存储器区,stm32引导下载的代码; (3)OPT区,一次性编程区,528字节;存储用户数据,写一次永久不能檫除; BOOT的设置: BOOT0 = 0;BOOT1 =0;地址从0x8000000开始运行代码; BOOT0 = 1;BOOT1 =0;进入串口下载模式. 调用FLASH操作函数: #define FLASH_SAVE_ADDR  0X08010000 //设置FLASH 保存地址(必

STM32操极速快三平台出租haozbbs.comQ1446595067 作访问flash,包括写入数据到flash和从flash读取数据 :https://blog.csdn.net/Ace_Shiyuan/article/details/78196648 这篇文章写得比较明白,但是它写的函数不饱满,没有把Flash充分写满.请看写数组的函数:FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+WriteAddress+i*2, temp);//写入数据

@20119-01-29 [小记] STM32擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位分析 原文地址:https://www.cnblogs.com/skullboyer/p/10335371.html

在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数.这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便. 以大容量产品STM32F103VE

一.内容概述 采用STM32内部自带USB控制器外加大页NAND FLASH K9F1G08U0A实现一个128M的U盘. 1.STM32的USB控制器 STM32F103的MCU自带USB从控制器,符合USB规范的通信连接:PC主机和微控制器之间的数据传输是通过共享一专用的数据缓冲区来完成的,该数据缓冲区能被USB外设直接访问.这块专用数据缓冲区的大小由所使用的端点数目和每个端点最大的数据分组大小所决定,每个端点最大可使用512字节缓冲区,最多可用于16个单向或8个双向端点.USB模块同PC主

2812从内部flash启动的详细流程说明: a) 程序硬件复位或者软件复位 b) 判断mp/mc是否为0,为0则从boot rom启动,否则从外部启动(见附录1) c) 到boot rom的0x3FFFC0处取出复位向量,跳到boot函数 d) 采集IO管脚状态,根据IO状态选择boot方式(见附录2) e) 如果是flash,程序退出boot函数,跳转到0x3F7FF6 f) 取出跳转指令,跳转到自己的指定地址或者C初始化的入口_C_INT00处 g)  在C初始化的入口_C_INT00对一

 一.实验内容: 通过串口发送单个字符到NRF51822,NRF51822 接收到字符后将其写入到FLASH 的最后一页,之后将其读出并通过串口打印出数据. 二.nRF51822芯片内部flash知识: EN-nRF51D 开发板使用NRF51822 芯片为nRF51822-QFAA,如下图所示,共有256KBFLASH,256 页,页大小为1024 字节. NRF51822 内部FLASH 写流程如下: 三.代码解析: main: 1 int main(void) 2 { 3 ... 4 5