1、简介
STM8S内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM是由一组通用寄存器来控制的；所以我们可以通过这些通用寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。我们也可以自己对器件的 option byte 进行编程。在这里我们只简单的讲解如何对STM8S内部的数据存储区域（data memory）进行写操作、读操作、擦除操作。
2、存储架构图
STM8S内部存储包括：FLASH程序存储器（FLASH program memory）和数据EEPROM（DATA EEPROM）；
（1）数据EEPROM又包括：
-
- 数据存储区域（DATA MEMORY）：指定从地址0x00 4000开始，其中包括 [1 block] 的option byte，数据存储区域用于存储应用数据；
（2）FLASH程序存储器又包括：
-
- 用户启动区域（USER BOOT CODE）：指定从地址0x00 8000开始，其中包括UBC option bytes和 [128 byte] 的中断矢量（interrupt vectors）；
- 程序存储区域（MAIN PROGRAM）：用于存储应用程序代码；
所以我们的操作是在DATA MEMORY里面，在该区域的指定地址进行读取内容、写入内容、擦除内容。
3、操作方法
（1）FLASH_ReadByte( ADDRESS )：读取地址ADDRESS处的1字节内容
（2）FLASH_ProgramByte( ADDRESS , DATA )：写1字节的内容到地址ADDRESS处
（3）FLASH_EraseByte( ADDRESS )：在地址ADDRESS处删除1字节的内容
4、操作步骤
使用操作前的配置
（1）配置选择编程时间，选择标准模式；
（2）解除数据存储区域的写保护；
说明：UBC和DATA MEMORY都有写保护，其中UBC的写保护是永远无法解锁的，而DATA MEMORY的写保护是可以通过连续写入两个MASS密钥值来解除该区域的写保护的；第一个密钥为0x56，第二个密钥为0xAE；只有当两个密钥输入正确（输入到寄存器FLASH_DUKR中）且输入密钥的先后顺序正确时，才会解除写保护；否则该区域在下一次系统复位之前都将一直保持写保护状态。
（3）读取、写入、擦除等操作；
5、代码实现
1 /* Includes ------------------------------------------------------------------*/
2 #include "stm8s.h"
3
4 /* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
5 typedef enum { FAILED = 0, PASSED = !FAILED} TestStatus;
6
7 /* Private variables ---------------------------------------------------------*/
8 __IO TestStatus OperationStatus;
9
10
11 /**
12 * @brief How to Read / Write / Erase one Byte on FLASH memory.
13 * @par Examples description
14 * - Read one byte at address 0x40A5
15 * - Write its complement value at address + 1
16 * - Check programed value
17 * - Erase 2 byte (address 40A5 & 40A6)
18 * - Check the 2 bytes value is 0x00.
19 * @param None
20 * @retval None
21 */
22 void main(void)
23 {
24
25 uint8_t val = 0x00, val_comp = 0x00;
26 uint32_t add = 0x00;
27
28 /* Define FLASH programming time */
29 //Standard programming time fixed at 1/2 tprog
30 FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_PROGRAMTIME_STANDARD);
31
32 /* Unlock Data memory */
33 //compare to two hardware key value: 0x56 and 0xAE
34 FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA);
35
36 /* Read a byte at a specified address */
37 add = 0x40A5;
38 //read one byte from the address
39 val = FLASH_ReadByte(add);
40
41 /* Program complement value (of previous read byte) at previous address + 1 */
42 val_comp = (uint8_t)(~val);
43 //modify one byte at the address
44 FLASH_ProgramByte((add + 1), val_comp);
45
46 /* Check program action */
47 val = FLASH_ReadByte((add + 1));
48 if (val != val_comp)
49 {
50 /* Error */
51 OperationStatus = FAILED;
52 /* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */
53 /* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */
54 while (1)
55 {
56 }
57 }
58
59 /* Erase byte at a specified address & address + 1 */
60 //erase one byte at the address
61 FLASH_EraseByte(add);
62 FLASH_EraseByte((add + 1));
63 /* Erase action */
64 val = FLASH_ReadByte(add);
65 val_comp = FLASH_ReadByte((add + 1));
66 if ((val != 0x00) & (val_comp != 0x00))
67 {
68 /* Error */
69 OperationStatus = FAILED;
70 /* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */
71 /* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */
72 while (1)
73 {
74 }
75 }
76
77 /* Pass */
78 OperationStatus = PASSED;
79 /* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */
80 /* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */
81 while (1)
82 {
83 }
84 }
FLASH