DDR控制

处理器:IMX6Q5EYM10ADDDR3时钟频率400MHz.528MHz DDR3:NT5CB128M16BP-CG16位667MHz时钟频率1333MHz数据频率 相比于Exynos4412的内存,飞思卡尔IMX6的内存比较麻烦,耗费了比较多的时间调试才稳定,当然这也是因为我无缘无故改掉了内存拓扑结构和换了内存芯片型号的原因. 飞思卡尔的方案里提供了两种很合适的拓扑方案,这两种方案适用于四片内存芯片的情况.第一种方案自然是采用fly-by拓扑,fly-by是DDR3的推荐使用拓扑结构,使用

看了一段时间的DDR手册,感觉大体有一点了解了,想要实际上板调试,然而实验室可用的开发板不多,拿了一块zynq板看了看,DDR确实有,但是已经集成了控制器,而且控制器还放到了PS端,PL只能通过AXI接口访问.     无奈另外两块开发板也这样,索性就用AXI去控制吧,正好还能再复习一遍AXI. 先简单介绍一下zynq,其全称是ZedBoard Zynq Evaluation and Development Kit  , FPGA芯片型号为xc7z020clg484-1. 片内包含一个丰富特性的

有了前面的一堆铺垫.现在终于开始正式准备读写DDR了,开发环境:VIVADO2014.2 + SDK. 一.首先要想在PL端通过AXI去控制DDR,我们必须要有一个AXI master,由于是测试,就不自己写了,直接用package IP生成,方法如下: 1.选择package IP工具 2.创建新的AXI外设 3.接口类型选择Full,模式选择master,如果你不关心里面的详细实现过程,那么直接finish就好了.(后面我们会继续分析里面的过程) 二.创建好了IP,自然要加入到IP库里,如图

上一节说到了DDR寻址的问题,如下图: 从官方文档上我们看到了DDR的地址是从0008_0000开始的,那么我们开始修改Xilinx给我们提供的IP核代码.其实很简单,上一节已经分析了地址停留在0000_1000的原因,现在我们只需要把write_burst_counter的位宽变大就可以了. 从上表看到地址范围由全0到全1,计算一下就知道需要的宽度为27,即 C_NO_BURSTS_REQ = 26; 重新打包IP核,生成比特流.开始调试 由于从0003_0000开始的地址是保留位,理论上来说

 虽然Xilinx已经将和AXI时序有关的细节都封装起来,给出了官方IP和向导生成自定义IP,用户只需要关注自己的逻辑实现,但是还是有必要简单了解一下AXI的时序,毕竟咱是做硬件设计的. AXI(Advanced eXtensible Interface)是一种总线协议,该协议是ARM公司提出的AMBA(Advanced Microcontroller Bus Architecture)3.0协议中最重要的部分,是一种面向高性能.高带宽.低延迟的片内总线.它的地址/控制和数据相位是分离的,支持不

SDRAM与DDR SDRAM SDRAM是比较久远的事情了,但我们一说到它肯定不会和DDR混淆,我们通常理解的SDRAM其实是SDR SDRAM,为SDRAM的第一代,而DDR1则为第二代,乃至到我们现在使用的DDR4,其实为第五代SDRAM,在此需要澄清一下.以示区别,后续文章里面用SDR来特指SDR SDRAM,而DDR就特指DDR SDRAM了. 就像很多人回复的一样,他们的本质区别就是周期操作方式(也称时钟采样)的差异,这就导致后面设计上很大的不同.SDR都是"单数据传输模式"

原文地址:http://www.cnblogs.com/shengansong/archive/2012/09/01/2666213.html DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”.DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来.也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流.本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM(又称SDR SDRAM)的不同. DDR的核

本编文章的目的主要用简明的方法对DDR3进行读写,当然这种方式每次读写都需要CPU干预,效率是比较低的,但是这是学习的过程吧. 本系列文章尽可能的让每一个实验都相对独立,过程尽可能保证完整性,保证实验的可重现性. 但是用到的模块或者IP的具体作用和用法不保证都重复详细的介绍. 本文所使用的开发板是兼容zedboardPC 开发环境版本:Vivado 2015.4 Xilinx SDK 2015.4 生成硬件系统 新建vivado工程 选择Zedboard 新建Block Design 添加ZYN

DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)是一种高速CMOS.动态随机访问存储器, 它采用双倍数据速率结构来完成高速操作.应用在高速信号处理系统中, 需要缓存高速.大量的数据的情况. SDR SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输:DDR SDRAM能够同时在时钟的上升和下降沿提取数据,一个时钟周期内传输两次数据,从而在相同的数据总线宽度和工作频率下, DDR SDRAM的总线带宽比SDR SDRAM的总线带宽提高了一倍.例如,在DDR2