command 模块总述
SDRAM 的 command 模块的内容包括如下:
1、对初始化请求、配置模式寄存器、读/写、刷新、预充电等命令的一个优先级的控制。
2、将相应的命令进行解码即转化成相应的控制总线,转化依据如图1:
图1
代码详解
1、SDRAM 重要的参数
SDRAM 的容量为 4 * 1 M* 16 bit , 一共有 4 个 bank , 每个 bank 为 12 行、8列。 本次设计 SDRAM 为 顺序的突发读写模式、TCAS=3,TCL=3 。
我们将这些参数定义到 parameter.h 模块中,然后通过 `include "parameter.h" 在其他文件中调用这个文件,具体如下。
在command.v 中调用该文件。
图2
2、command.v 模块接口
3、命令的优先级,
(1) SDRAM在每一刻只有一个指令在执行;
(2) 先到的指令先执行,即:如果刷新请求到来时,其它命令正在执行中,要等到当前命令执行完成后,才能执行刷新指令;
(3) 其它指令和刷新请求同时到来时刷新操作先执行。
命令优先级代码:
初始化命令,可以和上面的代码融合为1个代码。
4、命令执行的延时控制
经过优先级判断后,要把指令解码成可控制SDRAM的信号,同时还要用三个移位寄存器对命令执行的延迟时间进行控制。第一个为指令延时寄存器,用来保证SDRAM有充足时间完成最终指令。例如,如果命令的执行需要8各时钟周期的时间,则指令延时寄存器com_delay的初值设为“11111111”,同时声明一个内部信号com_done,作为指令执行完成的标志的。在指令执行期间,每一个时钟上升沿到来时,移位寄存器向右移位一次,com_delay[0]的移入com_done,同时“0” 移入最高位com_delay[7]。当com_done为“0”时,就说明指令的延迟时间已到,即通过com_done的值,就可以判断当前指令是否执行完成。要注意的是:移位寄存器的位数和初值,应该根据SDRAM的数据手册中命令完成需要的时间和系统的时钟周期来确定。
当输入的指令为writea和reada指令,将引发一系列指令的执行,和其它指令相比需要附加时间。所以,声明第二个移位寄存器rw_shift,来计算这两个指令的附加时间,其工作原理和第一个移位寄存器是一样的。数据通道oe,即数据输入、输出使能信号。对于非页模式的读写来说,oe保持有效的时间取决于突发长度。并且oe有效的起始时间对读操作和写操作时不同的:读操作时,oe有效的起始时间取决于CAS延时时间,而对于写操作时则在写指令开始时oe就是有效的。
4、命令解码
片选信号
5、行列地址、bank地址
将总地址的值分开,与 SDRAM 的重要参数保持一致
行列参数,行和列地址共用数据总线
bank地址
这些都是比较重要的,简单分析做个总结怕自己忘记。SDRAM设计中有很多细节,数据手册还是要多看看,每看一遍感觉都是不一样的。
学习的过程中没人交流,只能靠自己从网上搜、各种尝试,虽然很艰难,还是挺开心的。
如果有什么问题,还请指出,感激不尽!
原文链接:http://www.cnblogs.com/aslmer/p/6031921.html