逻辑门电路的知识点归纳

1.半导体二极管与MOS管的开关特性

二极管：正向导通，反向截止，但是要注意的是从反向截止到正向导通的时间极其短，但是从正向导通到反向截止要经过反向恢复（电荷存储效应）的过程，这个过程实际上就是存储电荷消失的时间，也是结电容的放电时间。（所以可以用于防止反相电流过大的情况）

BJT：主要分为截止区放大区以及饱和区，截止区的时候Ib=0相当于开关打开，断路，而饱和区的时候，Vce=0.2-0.3V开关闭合导通。在放大区工作的时候，基级输入理想的方波信号，它的集电极输出的波形的起始和平顶部分都会延迟一段时间，有延迟时间，上升时间存储时间以及下降时间

MOS：开关输入信号在高低电平之间转换的时候，MOS要通过导通电阻对负载电容放电，输出电压变化滞后于输入电压的变化，而且他的导通电阻大，所以其开关特性较差。

关于MOS管的增强型与耗尽型的之间的联系区别。

增强型的MOS管指的是输入到栅极的电压Vgs是大于零的，随着栅极输入电压Vgs的增大，电流Id 也在增大，载流子不断向栅极靠拢的过程；而耗尽型的MOS指的是栅极输入电压VGs从一开始的时候是小于零的，这时候的载流子都集中在栅极，然后VGs绝对值变大的过程中，Id变大，同时载流子不断减少的过程

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