# 课堂测试(CH6)20155218

课堂测试(CH6)

  • 下面代码中,对数组x填充后,采用直接映射高速缓存,所有对x和y引用的命中率为(D)

A .

1

B .

1/4

C .

1/2

D .

3/4

解析:在x[0],y[0]时发生强制不命中,在x[4],y[4]时发生冲突不命中。1-4/16=3/4
  • 下面说法正确的是(ABC)

A .

存储层次结构中最小的缓存是寄存器

B .

存储层次结构的中心思想是每一层都缓存来自较低一层的数据对象

C .

L4主存可以看作是L5:本地磁盘的缓存

D .

L4主存可以看作是L6的缓存

解析:对于每个k,位于k层的更快更小的存储设备作为位于k+1层的更大更慢的存储设备的缓存,即层次结构中的每一层都缓存来自较低一层的数据结构。位于顶端的cpu寄存器组必然是最小的缓存,则L4主存为下一级L5的缓存。

-下面代码的步长是(C)

A .

1

B .

N

C .

NN

D .

NN*N

解析:假设N为2,则内容依次为000,001,010,011,100,101,110,111.

由此可见步长为4.

  • 下面(B)是I/O总线

A .

USB

B .

PCI

C .

网卡

D .

图形卡

解析:输入输出设备都是通过I/O总线,例如intel的外围设备互联(Peripheral Component Interconnect,PCI)总线连接到CPU和主存的。
  • 计算下面磁盘的容量(C):4个盘片,100000个柱面,每条磁道400个扇区,每个扇区512个字节

    A .

    81.92GB

    B .

    40.96GB

    C .

    163.84

    D .

    327.68GB

    解析: n×t×s×b

其中n为保存数据的总盘面数;t为每面磁道数;s为每道的扇区数;b为每个扇区存储的字节数。而题目中为4个盘片,所以应有8个盘面;容量=2x4x100000x400x512=16384000000字节=163.84G

  • 有关RAM的说法,正确的是(ADEG )

A .

SRAM和DRAM掉电后均无法保存里面的内容。

B .

DRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中

C .

一般来说,SRAM比DRAM快

D .

SRAM常用来作高速缓存

E .

DRAM将每一个bit存储为对一个电容充电

F .

SRAM需要不断刷新

G .

DRAM被组织为二维数组而不是线性数组

### 解析:在p400页课本上,“SRAM的存取比DRAM快”,不知道选项C哪里错了。

时间: 2024-10-29 21:13:39

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