wince系统中对nand坏块的修正

wince系统中对nand坏块的修正

产生坏块的原因是因为NANDFlash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，所以，在NAND

的生产中及使用过程中会产生坏块。

一、坏块的具体表现：

当编程/擦除这个块时，不能将某些位拉高，这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误，相应地反映到

Status Register的相应位。

二、坏块的种类：

1.先天性坏块

这种坏块是在生产过程中产生的，一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于

0xff的值。

2. 后天性坏块

这种坏块是在NAND Flash使用过程中产生的，如果Block Erase

或者Page Program错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。为了和先天性坏块信息保持一致，

将新发现的坏块的第一个page的spare area的第6个Byte标记为非0xff的值,这个坏块标记字节的位置不具有通用性，具体以nand的datasheet为准。

三、坏块的处理

理解了先天性坏块和后天性坏块后，我们已明白NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息，因此，如果在擦除一个块之前，一定要先check一下spare area的第6个byte是否是

0xff，如果是就证明这是一个好块，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除。

不过，这样处理可能会错杀伪坏块，因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是，为了数据的可靠性及软件设计的简单化，坏块一个也不能放过。

但是wince为了防止这种伪坏块的浪费，采用了一定的补救措施来进一步验证该坏块为物理坏块还是伪坏块。该部分实现在BOOL WriteFlashReserved(PBYTE  pBuffer, UINT32 dwLength)函数里，具体代码如下：

for (i=0; i < dwSectorSize; i++)

{

// 写入新的Block时, 作一些判断

if (i%g_FlashInfo.wSectorsPerBlock == 0)

{

if (!FMD_ReadSector(dwCurrentWriteBlock*g_FlashInfo.wSectorsPerBlock,
NULL, g_pSectorInfoBuf, 1))

{

OALLog(L"Fail read info %d\n", dwCurrentWriteBlock);

}

RETAILMSG(1, (TEXT("g_pSectorInfoBuf->bBadBlock1 = %d \r\n", g_pSectorInfoBuf->bBadBlock)));//add by zhang , 20150303

//add end

// 算出这个物理block的值

BadBlockCheck:

dwCurrentWriteBlock = dwStartBlock + dwSkipBlock + i/g_FlashInfo.wSectorsPerBlock;

// 擦除这个block

if (!FMD_EraseBlock(dwCurrentWriteBlock))

{

OALLog(L"Fail erase %d\n", dwCurrentWriteBlock);

goto BadBlock;

}

// 再次读出info

if (!FMD_ReadSector(dwCurrentWriteBlock*g_FlashInfo.wSectorsPerBlock,
NULL, g_pSectorInfoBuf, 1))

{

OALLog(L"Fail read info %d\n", dwCurrentWriteBlock);

goto BadBlock;

}

RETAILMSG(1, (TEXT("g_pSectorInfoBuf->bBadBlock2 = %d \r\n", g_pSectorInfoBuf->bBadBlock)));//add
by zhang , 20150303

// 擦除后, 再次读出, 却发现bBadBlock不为0xFF, 是物理坏块!

if ((g_pSectorInfoBuf->bBadBlock != 0xff) || (g_pSectorInfoBuf->bOEMReserved
!= 0xff))

{

OALLog(L"Fail oxff %d\n", dwCurrentWriteBlock);

goto BadBlock;

}

goto GoodBlock;

BadBlock:

if (dwCurrentWriteBlock >= LOGO_BLOCK)

{

// 在写Logo区时允许坏块

FMD_SetBlockStatus(dwCurrentWriteBlock, BLOCK_STATUS_BAD);

dwSkipBlock++; //移到下一个Block

goto BadBlockCheck;

}

else

{

RETAILMSG(1, (TEXT("WriteFlaseReserved Fail.
#%x\n"), dwCurrentWriteBlock));

return FALSE;

}

GoodBlock:

;

}

以上为部分实现代码，红色的部分为我加的串口打印消息，主要是将处理之前和处理之后该块的坏块标记位的值打印出来，以方便观察是否能够将坏块通过处理之后变为好块。

串口打印的消息如下：

CheckSum: eecf

CheckSum Success, USBDownLoadRaw Done

WriteFlashReserved

g_pSectorInfoBuf->bBadBlock1 = 0

g_pSectorInfoBuf->bBadBlock2 = 255

g_pSectorInfoBuf->bBadBlock1 = 0

g_pSectorInfoBuf->bBadBlock2 = 255

以上部分是下载EBOOT时候打印的消息，EBOOT占两个block；

Send image (DNW->UsbPort->Transmite)

Supported: stepldr.nb0 eboot.nb0 *.bmp  nk.bin(<32MB)

ReadCheckSum: 395f

CheckSum: 395f

CheckSum Success, USBDownLoadRaw Done

WriteFlashReserved

g_pSectorInfoBuf->bBadBlock1 = 0

g_pSectorInfoBuf->bBadBlock2 = 255

以上部分是下载STEPLDR时候打印的消息，STEPLDR占一个block；

处理方法从代码部分也能看得出来，首先对将要写的块进行擦除，擦除的时候忽略坏块的标志，也就是说不管好块还是坏块都进行擦除，擦除其实就相当于对当前块的所有地址全部写FF，写完之后会从新生产坏块标记，保存在spare area区域；然后再次读出该spare area区域的数据进行判断，如果为FF则表示修正成功，该块为好块，可以进行读写操作，如果为非FF，则证明该块为不可修正的坏块，禁止对其读和写操作，这样既避免了错杀一千的浪费，同时又保证了数据传输的稳定性。

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时间： 2024-12-15 01:51:15

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