模拟电子技术-半导体二极管

1.半导体二极管:封装的PN结。

半导体二极管的类型:硅管、锗管。

2.半导体二极管的伏安特性:

正向特性:

    

反向特性:

        

温度对半导体二极管特性的影响:

1.当温度升高,死区电压、正向管压降降低。温度每升高摄氏1度,正向管压降降低2~2.5mV。

2.温度升高,反向饱和电流增大。平均温度身高10摄氏度,反向饱和电流增大一倍。

半导体二极管的主要电参数:

1.额定整流电流IF:管子长期运行允许通过的电流平均值。

2.方向击穿电压U(BR):二极管能承受的最高反向电压。

3.最高允许反向工作电压UR:UR = (1/2~2/3)U(BR)。

4.反向电流IR:反向电压下的反向电流,越小越好。

5.正向导通管压降。

6.最高工作频率fM:fM与结电容有关,当工作频率超过fM时,二极管的单向导电性变差。

 

原文地址:https://www.cnblogs.com/kun-embedded/p/10816851.html

时间: 2024-10-10 04:21:22

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