1.半导体二极管:封装的PN结。
半导体二极管的类型:硅管、锗管。
2.半导体二极管的伏安特性:
正向特性:
反向特性:
温度对半导体二极管特性的影响:
1.当温度升高,死区电压、正向管压降降低。温度每升高摄氏1度,正向管压降降低2~2.5mV。
2.温度升高,反向饱和电流增大。平均温度身高10摄氏度,反向饱和电流增大一倍。
半导体二极管的主要电参数:
1.额定整流电流IF:管子长期运行允许通过的电流平均值。
2.方向击穿电压U(BR):二极管能承受的最高反向电压。
3.最高允许反向工作电压UR:UR = (1/2~2/3)U(BR)。
4.反向电流IR:反向电压下的反向电流,越小越好。
5.正向导通管压降。
6.最高工作频率fM:fM与结电容有关,当工作频率超过fM时,二极管的单向导电性变差。
原文地址:https://www.cnblogs.com/kun-embedded/p/10816851.html
时间: 2024-10-10 04:21:22