大二学的模电,现在又拿起来,感叹自己学的实在太差,所以结合一些资料开始总结笔记 pn结即空间电荷区 杂质半导体中的多子一般都是由杂质原子提供,少子是本征激发产生 P型半导体和n型半导体结合后,交界处p区的多子(空穴)向n区扩散,n区多子(电子)向p区扩散 前者是因为n区的空穴少产生了浓度差,后者是因为p区电子少产生了浓度差,由此产生了扩散 这里空穴的移动是相对的,p区的空穴被n区过来的电子结合,所以p区少了一个空穴,而n区电子离开后会留下一个空穴,这就好似空穴从p区扩散到了n区,实际上是相对而言

可能大家在使用半导体器件的时候只是在使用它的电气属性,并没有很好的关心下它是什么原因才有了这样的电气属性,那么我们本篇就从物理结构分析下PN结吧. 首先看一张比较陈旧的图图: (就按自己的笔记简单谈谈自己的理解吧,不到之处请各位积极留言啊) 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子数目处于4(C,Si,Ge,Sn,Pb)的为金属和非金属之间,称为半导体,元素属性教稳定. 对于为什么选Si,Ge,而不是其他的,原因可能是,Si,Ge资源多,获取成

PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时,外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,破坏了原来的平衡,使扩散运动加剧,PN结导通.PN结的压降只有零点几付,所以在其回路里应串联一个电阻. PN结加反向电压 当PN结加反向电压时,外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止了扩散运动的进行,而加剧了漂移运动的进行,形成反向电流.但其电流很小,可忽略不计.这是PN结处于截止状态. PN结的电流方程      其中Ut=26mV,Is为反向饱和电流.     反向击穿又分为齐纳击穿和雪崩

1.   掺杂半导体 上面我们分析了本征半导体的导电情况,但由于本征半导体的导电能力很低,没什么太大用处.所以,一般我们会对本征半导体材料进行掺杂,即使只添加了千分之一的杂质,也足以改变半导体材料的导电特性.通过加入不同特性的掺杂的元素,可以做出两种不同性质的半导体材料:n型半导体材料和 p型半导体材料,下面分别予以介绍. (1) n型半导体 n型半导体材料是通过对本征半导体掺入有5个价电子的元素得到的,常见的5价元素有:锑(Sb).砷(As).磷(P),下面以锑作为掺杂元素.硅作为本征基片来举

P(positive)型半导体 空穴(共价键上流失一个电子)浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体,在纯净硅晶体中掺入三价元素 N(negative)型半导体 自由电子浓度远大于空穴(共价键上流失一个电子)浓度的杂质半导体,在纯净硅晶体中掺入五价元素 注意:P型半导体呈电中性,空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成. Q:为什么不直接用P型或N型半导体?

0.小叙闲言 最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用.直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现把它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题.在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析.个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流. 目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错.  图1 H桥全

1.1 半导体基础知识 半导体期间是构成电子电路的基本元件,他们所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料 1.1.1 本征半导体 (纯净半导体) 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体. 一.半导体 1. 基础知识:物质的导电性能决定于原子结构.导体一般为低阶元素.高价元素是绝缘体.常用半导体材料均为四价元素,入硅.锗等. 2. 半导体特性:在形成晶体结构的半导体中,人为的掺入特定的杂质元素时,导电性能具有可控性:并且,在光和热辐射条件下,其导电性还有明显的变化:这些特殊的性质就决定了半

电场力作用下载流子的运动即漂移运动 pn结中内电场会抑制载流子扩散运动,而加强漂移运动 内电场方向是由n区指向p区,因此p区空穴以及n区电子均会受到与扩散运动方向相反的电场力,由此扩散运动被抑制,而p区少子电子和n区少子空穴会因为电场力而运动,即漂移运动,空穴会由n区向p区移动,电子由p区向n区移动 漂移运动方向正好与扩散运动相反,从n区漂移到p区的空穴补充了p区失去的空穴,从p区漂移到n区的电子补充了n区失去的电子,因此空间电荷减少,空间电荷区变窄 所以扩散运动和漂移运动是互相联系和对立的,扩

1.检波二极管 A.用于检波电路  B.用于鉴频电路  C.用于鉴相电路  D.用于混频电路  E.用于限幅电路  F.用于AGC电路   G.用于测试电路  H.用于指示器电路  I.用于其它电路 2.变容二极管 A.用于调谐电路  B.用于倍频电路  C.用于控制电路  D.用于其它电路 3.整流二极管 A.用于整流电路  B.用于供电电路  C.用于节电电路  D.用于照明电路  E.用于稳压电路  F.用于测试电路   G.用于控制电路  H.用于保护电路  I.用于指示器电路  J.用